[发明专利]一种抛光硅片清洗干燥工艺有效
| 申请号： | 201811462122.7 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261495B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘云霞;史训达;李彦君;林霖;徐继平;王磊;李俊峰;李奇;杨少昆;程凤伶 | 申请（专利权）人： | 有研半导体硅材料股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 硅片 清洗 干燥 工艺 | ||
1.一种抛光硅片清洗干燥工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：干燥槽注满高纯水并溢流5-10s，高纯水的电阻率大于18MΩ·cm；
步骤S2：用机械手将装有1-50片相同直径抛光硅片的两篮四氟花篮放到干燥槽底部的支架上，该支架包含四氟花篮定位卡槽部分与硅片支撑部分；
步骤S3：快排，快排时间控制在8-15s；
步骤S4：在50s内向干燥槽内注满高纯水，并溢流5-10s；
步骤S5：将经常温氮气雾化后的异丙醇注入干燥槽 内；
步骤S6：慢排；
步骤S7：快排，快排时间控制在2-8s；
步骤S8：停止注入异丙醇，热氮气干燥抛光硅片与四氟花篮；
步骤S9：将装有抛光硅片的四氟花篮移出干燥槽；
所述干燥槽底部支架的硅片支撑部分，宽度为4-8mm，该硅片支撑部分与硅片接触的部位相对于水平方向有2-3度的微倾角；
在所述步骤S2中，所述干燥槽底部支架的硅片支撑部分与抛光硅片底部接触后，硅片将不再下降，但四氟花篮仍下降到支架上的四氟花篮定位卡槽内，抛光硅片的正表面将不再与四氟花篮的沟槽接触，而抛光硅片的背表面与四氟花篮的沟槽接触。
2.根据权利要求1所述的抛光硅片清洗干燥工艺，其特征在于，所述四氟花篮为矮篮。
3.根据权利要求1所述的抛光硅片清洗干燥工艺，其特征在于，在所述步骤S5中，常温N2的流量为50-150SLPM，异丙醇的注入时间为30-80s。
4.根据权利要求1所述的抛光硅片清洗干燥工艺，其特征在于，在所述步骤S6中，高纯水的定速排放速率为0.5-2mm/s，最接近四氟花篮H面的硅片的底部离开液面后，慢排结束。
5.根据权利要求1所述的抛光硅片清洗干燥工艺，其特征在于，在所述步骤S8中，热氮气的流量为300-500SLPM。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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