[发明专利]一种用N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴（II）离子印迹复合膜的方法

权利要求书

1.一种用N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴（II）离子印迹复合膜的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤(1)：将钴（II）离子完全溶解在致孔溶剂中，加入N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺，室温振荡(2～3h)混匀，加入交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯和引发剂偶氮二异丁腈，摇匀，超声5～10min，形成预聚合溶液；

所述钴（II）离子、N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺、乙二醇二甲基丙烯酸酯的摩尔比为1:(2～8):(10～50)；

步骤(2)：将基膜置于步骤（1）得到的预聚合溶液中，室温浸泡3~30min，最后50~70℃反应12~24h，形成钴离子印迹复合膜也就是Co(II)-MICM；

步骤(3)：将步骤（2）得到的钴离子印迹复合膜Co(II)-MICM用体积比为9:1的甲醇和醋酸混合溶液洗脱模板离子，再用甲醇洗至中性，真空干燥24h得到洗脱后的钴离子印迹复合膜Co(II)-MICM；

所述致孔剂为有机溶剂和水的混合溶液，有机溶剂和水的体积比为1:1~1:3；所述有机溶剂为甲醇、乙醇、乙腈、N,N-二甲基甲酰胺或者异丙醇；

步骤（1）中钴(II)离子和偶氮二异丁腈的摩尔比为1:(0.06～0.12)。

2.根据权利要求1所述用N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴(II)离子印迹复合膜的方法，其特征在于：步骤（2）中所述基膜为聚四氟乙烯微孔滤膜、聚偏氟乙烯微孔滤膜、Nylon-6微孔滤膜中的一种。

3.根据权利要求1所述用N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴(II)离子印迹复合膜的方法，其特征在于：步骤（3）中甲醇/醋酸混合溶液中，甲醇与醋酸体积比为9:1。