[发明专利]一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811462150.9 申请日: 2018-12-03
公开(公告)号: CN109589799B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 成会玲;胡德琼;刘迎梅;赵莉;陈树梁;王朝武;陈云龙;何易;字富庭;胡显智 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: B01D67/00 分类号: B01D67/00;B01D69/12;B01D61/14;B01J20/26;B01J20/30;C02F1/44;C02F1/28;C02F101/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 ii 离子 印迹 复合 制备 方法
【说明书】:

发明公开一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法,属于膜材料科学技术领域。本发明所述方法以镉(II)离子为模板离子,化合物N‑(乙基吡咯烷基)‑2‑甲基丙烯酰胺为功能单体,市售膜为支撑膜,以金属离子印迹技术为手段,制备得到镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)‑MICM。本发明制备得到的镉(II)离子印迹复合膜对镉(II)离子具有较好的吸附能力和优异的印迹效果。

技术领域

本发明涉及一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法,属于膜材料制备技术领域。

背景技术

镉是一种典型的重金属污染物,具有降解难、毒性高、易富集、易转移等特点,环境中的镉含量一旦过量就会对人体健康造成严重的危害。近年来,废水中的镉金属污染越来越严重,主要来源是金属采选、冶炼、电镀及化学工业排放废水。

去除镉离子常用的方法有电化学法、化学沉淀法、吸附法和膜分离法等。这些方法应用于处理含镉离子废水方面的研究十分的广泛,但这些处理方法均存在着一些不足,如工艺复杂、成本费用高、选择性差或易造成二次污染等问题。因此,需要寻找一种对镉离子具有高选择性的分离富集方法。

离子印迹技术(ion imprinted technology,IIT)是分子印迹技术(molecularimprintedtechnology,MIT)的一个重要发展方向,其以特定金属离子为模板,能与金属离子产生螯合作用的化合物为功能单体,在交联剂和引发剂的作用下形成一种离子印迹聚合物(ion-imprintedpolymer,IIPs),洗脱模板离子后,其内部含有大量与目标离子在尺寸大小、结合位点等方面都高度匹配的印迹空穴。文件CN105884985制备了一种磁性离子印迹聚合物,对目标离子具有高效的识别选择性及亲和性,为实现目标离子的选择性分离提供了有效的途径。然而,聚合物存在研磨不均匀、颗粒大,模板离子包埋过深、难洗脱,甚至泄漏等问题。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题及不足,本发明提供一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法,以镉(II)离子为模板离子,化合物N-(乙基吡咯烷基)-2-甲基丙烯酰胺为功能单体,市售膜为支撑膜,以金属离子印迹技术为手段,制备得到镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)-MICM;本发明制备得到的镉(II)离子印迹复合膜对镉(II)离子具有较好的吸附能力和优异的印迹效果。

本发明通过以下技术方案实现。

(1)预聚合溶液的配制:将镉(II)离子完全溶解在致孔剂中,然后加入N-(乙基吡咯烷基)-2-甲基丙烯酰胺振荡(2~3h)混匀,加入交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯和引发剂偶氮二异丁腈,摇匀,超声5~10min,形成预聚合溶液。

所述镉(II)离子、N-(乙基吡咯烷基)-2-甲基丙烯酰胺、乙二醇二甲基丙烯酸酯的摩尔比为1:(2~8):(10~50)。

(2)Cd(II)-MICM的制备:将基膜置于步骤(1)得到的预聚合溶液中,常温浸泡0.5~60 min,最后50~70℃反应12~24h,形成镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)-MICM。

(3)Cd(II)-MICM的洗脱:将步骤(2)得到的镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)-MICM用甲醇/醋酸混合溶液洗脱模板离子,再用甲醇洗至中性,真空干燥(24h)后得到洗脱后的镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)-MICM。

优选的,本发明所述致孔剂为有机溶剂和水的混合溶液,有机溶剂和水的体积比为1:1;所述有机溶剂为甲醇、乙醇、N,N-二甲基甲酰胺或者异丙醇。

优选的,本发明步骤(1)中镉(II)离子和偶氮二异丁腈的摩尔比为1:(0.06~0.12)。

优选的,本发明步骤(2)中所述基膜为聚四氟乙烯微孔滤膜、聚偏氟乙烯微孔滤膜、Nylon-6微孔滤膜中的一种,市售产品。

步骤(3)中甲醇/醋酸混合溶液中,甲醇与醋酸体积比为9:1。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811462150.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top