[发明专利]一种获得亲水性表面的抛光硅片加工方法

权利要求书

1.一种获得亲水性表面的抛光硅片加工方法，其特征在于，该方法包括利用抛光布、抛光液对硅片进行化学机械抛光处理的过程，该过程包括粗抛步骤、中抛步骤和精抛步骤；粗抛步骤、中抛步骤和精抛步骤分别按四个阶段进行，其中，第一阶段至第三阶段均采用抛光液抛光，第四阶段均采用纯水进行抛光；中抛步骤和精抛步骤中采用相同的研磨剂，所采用的研磨剂为平均粒径在3-80nm的SiO₂颗粒的碱性抛光液，胶体状抛光原液用纯水进行稀释，稀释比例为1:(20-100)；精抛步骤的第四阶段抛光时间控制在0-15s；在完成精抛步骤后，立即将抛光硅片浸泡到含有0.02％～1％表面活性剂的纯水中，浸泡时间大于2min，纯水的温度控制在13-18℃。

2.根据权利要求1所述的获得亲水性表面的抛光硅片加工方法，其特征在于，中抛步骤和精抛步骤采用的研磨剂中含有分子量为400,000以上的水溶性纤维素、以及氨的碱性化合物。

3.根据权利要求1所述的获得亲水性表面的抛光硅片加工方法，其特征在于，在中抛步骤中，抛光液流量为4-10L/min；第二阶段的抛光压力控制在150-250g/cm²，第二阶段的抛光机的大盘与抛光头转速均控制在30-50rpm，第二阶段的抛光时间控制在3-12min；第四阶段纯水抛光时间为0.5-2min，纯水流量为4-15L/min。

4.根据权利要求1所述的获得亲水性表面的抛光硅片加工方法，其特征在于，所述精抛步骤中所采用的精抛光布在使用前进行活化处理，该活化处理为：将精抛步骤中所采用的抛光液打到抛光布上，用一个尼龙刷盘对精抛光布进行刷布，刷布时抛光机的大盘与抛光头转速均控制在15～40rpm之间，用抛光液刷布的时间控制在10-120min，关闭抛光液，用纯水进行刷布2min后即可完成精抛光布的活化处理。

5.根据权利要求1所述的获得亲水性表面的抛光硅片加工方法，其特征在于，所述精抛步骤的各阶段温度控制在17-30℃，抛光机的大盘与抛光头转速均控制在15-40rpm，第二阶段的抛光压力控制在50-150g/cm²。