[发明专利]发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201811462292.5 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN109560101B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 吴仰恩;苏松宇 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
发光二极管显示装置包括第一基板、多个发光二极管、粘着层、彩色层及第二基板。第一基板具有多个开关元件。发光二极管包括第一半导体层、多个第二半导体层、多个发光层、第一电极及多个第二电极。第一电极配置于第一半导体层上。第二电极分别配置于对应的第二半导体层上。第二电极分别电性连接于对应的开关元件。粘着层与第一基板分别位于发光二极管的相对两侧。彩色层配置于第一基板上,并覆盖粘着层及发光二极管。彩色层包括多个彩色单元以及多个阻挡层。各阻挡层配置于各彩色单元之间。第二基板与第一基板相对设置。
技术领域
本发明是有关于一种显示装置,且特别是有关于一种发光二极管显示装置。
背景技术
虽然市场上主流的显示器是以液晶显示器、有机发光二极管显示器为大宗,但随着科技的进步,许多光电元件的体积也逐渐往小型化发展。而作为液晶显示器的背光源的发光二极管在小型化之后,可被分区为较小的单元并可操作其明暗。因此,使得小型化的发光二极管可应用于高动态范围(High Dynamic Range,HDR)技术或是进一步作为显示器。然而,将小型化的发光二极管应用作为显示器仍面临有许多的问题,特别是在封装后的发光二极管元件的巨量转移过程中,常会有不易进行巨量转移,甚至有巨量转移良率不佳的问题。
发明内容
本发明提供一种发光二极管显示装置,可提供宽色域的色彩规格。
本发明另提供一种发光二极管显示装置的制造方法,可用于制造上述的发光二极管显示装置,并可改善巨量转移的良率。
本发明的一种发光二极管显示装置包括第一基板、多个发光二极管、粘着层、彩色层以及第二基板。第一基板具有多个开关元件。发光二极管包括第一半导体层、多个第二半导体层、多个发光层、第一电极以及多个第二电极。发光层分别配置于第一半导体层与对应的第二半导体层之间。第一电极配置于第一半导体层上。第二电极分别配置于对应的第二半导体层上。第二电极分别电性连接于对应的开关元件。粘着层配置于第一基板上。粘着层与第一基板分别位于发光二极管的相对两侧。彩色层配置于第一基板上,并覆盖粘着层及发光二极管。彩色层包括多个彩色单元以及多个阻挡层,且各阻挡层配置于各彩色单元之间。第二基板与第一基板相对设置,且第二基板覆盖彩色层、粘着层以及发光二极管。
本发明的一种发光二极管显示装置的制造方法,包括以下步骤:形成第一组件、形成第二组件以及使第一组件与第二组件相对设置。其中,形成第一组件包括以下步骤:提供第一基板,且第一基板具有多个开关元件;形成多个发光二极管于成长基板上;转移发光二极管至第一基板上;以及形成粘着层于第一基板上,其中粘着层与第一基板分别位于发光二极管的相对两侧。形成第二组件包括以下步骤:提供第二基板;以及形成彩色层于第二基板上,其中彩色层包括多个彩色单元以及多个阻挡层,且各阻挡层配置于各彩色单元之间。使第一组件与第二组件相对设置,其中彩色层覆盖粘着层及发光二极管,且第二基板覆盖彩色层、粘着层以及发光二极管。
在上述实施例之一的发光二极管显示装置可提供宽色域的色彩规格。
在上述实施例之一的发光二极管显示装置的制造方法可改善巨量转移的良率。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A为本发明一实施例的一种发光二极管显示装置的俯视示意图。
图1B为图1A的发光二极管显示装置沿I-I’剖线的剖面示意图。
图1C为图1B的区域A的放大图。
图1D与图1E为本发明多个实施例的一种微型发光二极管发光二极管显示装置的剖面示意图。
图2A至图2F为本发明一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的