[发明专利]图像传感器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种图像传感器结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基底结构，所述基底结构包括感光层，所述感光层包括若干个感光区域以及将相邻所述感光区域隔离的隔离区域；

于所述基底结构上形成绝缘层；

于所述绝缘层中形成若干个间隔排布的隔离槽结构，所述隔离槽结构与所述隔离区域上下对应设置；

于形成有所述隔离槽结构的所述绝缘层上形成封口层，所述封口层至少封闭所述隔离槽结构的开口以使得于所述隔离槽结构中形成空气腔；以及

至少于相邻所述空气腔之间的所述绝缘层中形成滤光结构。

2.根据权利要求1所述的图像传感器结构的制备方法，其特征在于，所述基底结构自下而上依次包括支撑衬底、金属互连层以及所述感光层或者所述基底结构自下而上依次包括衬底、所述感光层以及金属互连层。

3.根据权利要求1所述的图像传感器结构的制备方法，其特征在于，形成所述绝缘层之前还包括步骤：于所述基底结构上形成高介电常数介质层；形成所述滤光结构之后还包括步骤：于各所述滤光结构上制备透镜结构，其中，所述滤光结构向上延伸至所述封口层中并与所述封口层的上表面相平齐，所述透镜结构与各所述滤光结构上下对应设置并延伸覆盖其对应的所述滤光结构周围的所述封口层。

4.根据权利要求1所述的图像传感器结构的制备方法，其特征在于，形成所述绝缘层之前还包括步骤：于所述基底结构上形成抗反射阻挡层，且形成的所述隔离槽结构贯穿所述绝缘层并显露出所述抗反射阻挡层。

5.根据权利要求1所述的图像传感器结构的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的形成工艺包括原子层沉积工艺，所述绝缘层包括氧化硅层，所述绝缘层的厚度介于2950埃-3350埃之间；所述隔离槽结构的形成工艺包括干法刻蚀工艺，所述隔离槽结构的深度介于2950埃-3350埃之间，所述隔离槽结构的宽度介于190nm-230nm之间。

6.根据权利要求1所述的图像传感器结构的制备方法，其特征在于，形成所述封口层的工艺包括沉积工艺，所述沉积工艺包括常压化学气相沉积工艺；所述封口层包括正硅酸乙酯层，所述封口层的厚度介于2800埃-3200埃之间。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的图像传感器结构的制备方法，其特征在于，形成所述封口层之前还包括步骤：至少于所述隔离槽结构的底部及侧壁形成覆盖层。

8.根据权利要求7所述的图像传感器结构的制备方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度介于所述隔离槽结构的宽度的1/10-1/3之间；形成所述覆盖层后的剩余隔离槽结构宽度介于80nm-120nm之间；所述覆盖层的形成工艺包括化学气相沉积工艺，所述覆盖层包括氮化硅层，所述覆盖层的厚度介于300埃-700埃之间。

9.一种图像传感器结构，其特征在于，包括：

基底结构，所述基底结构包括感光层，所述感光层包括若干个感光区域以及将相邻所述感光区域隔离的隔离区域；

绝缘层，位于所述基底结构上，所述绝缘层中形成有若干个间隔排布的隔离槽结构，所述隔离槽结构与所述隔离区域上下对应设置；

封口层，对应位于所述隔离槽结构上，所述封口层至少封闭所述隔离槽结构的开口以使得所述隔离槽结构中形成空气腔；以及

滤光结构，至少位于相邻的所述空气腔之间的所述绝缘层中。

10.根据权利要求9所述的图像传感器结构，其特征在于，所述基底结构自下而上依次包括支撑衬底、金属互连层以及所述感光层或者所述基底结构自下而上依次包括衬底、所述感光层以及金属互连层。