[发明专利]充放电控制装置和电池装置

说明书

充放电控制装置和电池装置。具备放电过电流检测电路，该放电过电流检测电路根据基于放电基准FET的电压的放电过电流基准电压和放电过电流检测端子的电压，监视放电过电流，该放电基准FET的漏极及栅极与充电控制FET连接。

技术领域

本发明涉及充放电控制装置和电池装置。

背景技术

图3中示出以往的电池装置的框图。以往的电池装置具备二次电池1、过充电检测电路31、过放电检测电路32、充电控制电路33、放电控制电路34、基准电流电路37、比较器38、充电FETQ1、放电FETQ2、第一基准FETQ3、第二基准FETQ4、外部端子T1及T2。

基准电流电路37使基准电流流过第一基准FETQ3和第二基准FETQ4而使第一基准FETQ3的源极产生过电流检测电压。比较器38对基于充电FETQ1和放电FETQ2中产生的放电电流的电压与过电流检测电压进行比较来检测电池装置的放电过电流。

此处，第一基准FETQ3及第二基准FETQ4具有与充电FETQ1及放电FETQ2分别相同的温度特性、及源栅极电压特性。这样构成的电池装置能够可靠地补偿温度变动或二次电池1的电压变动产生的影响而高精度地检测过电流(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2009-131020号公报

发明内容

在电池装置中，为了降低充电FETQ1及放电FETQ2的导通电阻，有时采用沟槽结构的MOSFET。在这种情况下，存在以下课题：如果第一基准FETQ3及第二基准FETQ4也是沟槽结构的MOSFET、并配置在同一芯片上，则由于漏极为共通的这种结构上的限制，难以将充电FETQ1及放电FETQ2的漏极与第一基准FETQ3及第二基准FETQ4的漏极分离，难以像图3的电路那样构成。

本发明是为了解决以上那样的课题而完成的，提供充放电控制装置及电池装置，即使由沟槽结构等纵型的MOSFET构成充电FETQ1及放电FETQ2，也能够可靠地补偿温度变动或二次电池1的电压变动产生的影响而高精度地检测过电流。

用于解决课题的手段

本发明的充放电控制装置监视二次电池的电压及电流而控制二次电池的充放电，其特征在于，该充放电控制装置具备：充电控制FET以及放电控制FET，它们设置在所述二次电池与外部端子之间的电流路径上，彼此的漏极连接；放电基准FET，其漏极以及栅极与所述充电控制FET连接；以及充放电控制电路，其具有：第一电源端子，其与所述二次电池的一端连接；第二电源端子，其与所述二次电池的另一端以及所述放电控制FET的源极连接；充电控制端子，其与所述充电控制FET的栅极连接；放电控制端子，其与所述放电控制FET的栅极连接；放电过电流基准端子，其与所述放电基准FET的源极连接；以及放电过电流检测端子，其与所述充电控制FET的源极连接，所述充放电控制电路具有：放电过电流检测电路，其根据基于所述放电过电流基准端子的电压的放电过电流基准电压和所述放电过电流检测端子的电压，监视放电过电流；以及控制电路，其根据所述放电过电流检测电路的信号，输出控制所述放电控制FET的信号。

发明效果

根据本发明的充放电控制装置，即使充放电控制FET采用纵型的MOSFET，也能够构成同样的纵型的MOSFET的放电基准FET，因此，能够可靠地补偿温度变动或二次电池的电压变动产生的影响，从而高精度地检测过电流。由此，能够提供可高精度地检测过电流的电池装置。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式的电池装置的框图。

图2是示出本实施方式的电池装置的另一例的框图。

图3是示出以往的电池装置的框图。

标号说明