[发明专利]多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法

权利要求书

1.一种制造多层陶瓷电子组件的方法，所述方法包括：

制备陶瓷生片；

通过在所述陶瓷生片上涂覆用于内电极的包括镍粉末的膏体而形成内电极图案，所述镍粉末的表面上形成有包含铜的涂层；

通过堆叠其上形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片而形成陶瓷多层结构；以及

通过烧结所述陶瓷多层结构而形成包括介电层和内电极的主体，

其中，基于所述镍粉末的总重量，铜的含量大于或等于0.2wt％且小于或等于1.5wt％。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述陶瓷生片具有等于或小于0.6μm的厚度，并且所述内电极图案具有等于或小于0.5μm的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述涂层还包括从钨、钼、铬和钴的组中选择的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述涂层还包括锡。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述涂层使用原子层沉积工艺来形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述镍粉末还包括从钨、钼、铬和钴的组中选择的至少一种的合金。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述镍粉末还包括锡的合金。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述镍粉末的含量，所述镍粉末还包含含量为300ppm或更少的硫。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述镍粉末还包括从铜、银、钯、铂、铑、铱和钌的组中选择的至少一种的合金。

10.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件是使用权利要求1至9中任一项所述的方法制造的，所述多层陶瓷电子组件包括：

陶瓷主体，包括介电层和内电极；以及

外电极，设置在所述陶瓷主体上，

其中，所述内电极包括镍和铜。

11.根据权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层具有等于或小于0.4μm的厚度，并且所述内电极具有等于或小于0.4μm的厚度。

12.根据权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，C≥85％，其中，C是实际形成内电极的部分的长度与所述内电极的整个长度的比。

13.根据权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷主体具有小于或等于0.4mm的长度和小于或等于0.2mm的宽度。

14.根据权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层具有小于或等于0.4μm的厚度，或者所述内电极具有小于或等于0.4μm的厚度。