[发明专利]发光装置和显示装置在审
申请号: | 201811464943.4 | 申请日: | 2018-12-03 |
公开(公告)号: | CN110071138A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 村井淳人;山田二郎;寺井康浩;近藤正彦;前田宪辉 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本有机雷特显示器 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 马强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一电极 发光区域 像素 非发光区域 发光装置 显示装置 发光层 第二电极 方向交叉 连续设置 对置 隔壁 覆盖 | ||
1.一种显示装置,具备:
多个像素,各自沿着第一方向具有发光区域和非发光区域;
第一电极,设置在所述多个像素各自的所述发光区域;
隔壁,设置在与所述第一方向交叉的第二方向上相邻的所述像素之间;
发光层,连续设置在所述发光区域和所述非发光区域,并且覆盖所述第一电极;以及
第二电极,隔着所述发光层与所述第一电极对置。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
进一步具备:
基板;
薄膜晶体管,设置在所述基板上;以及
绝缘层,覆盖所述薄膜晶体管,并且具有所述薄膜晶体管与所述第一电极的连接孔,
在所述基板上,依次设置有所述薄膜晶体管、所述绝缘层、所述第一电极、所述发光层和所述第二电极。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述隔壁在所述第一方向上延伸。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述发光层含有有机发光材料。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述发光层是涂布层。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
进一步具备短路抑制层,
所述短路抑制层配置在所述像素内和相邻的所述像素之间的至少一方的所述发光区域与所述非发光区域的境界附近,并且覆盖所述第一电极的表面和端部。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述短路抑制层的至少一部分以与所述绝缘层的所述连接孔对置的方式设置。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述短路抑制层设置在所述第一电极与所述发光层之间。
9.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述短路抑制层从所述发光区域与所述非发光区域的境界附近延伸到所述非发光区域。
10.一种发光装置,具备多个显示像素,
所述多个显示像素在基板上配置成矩阵状,
所述显示像素包含发光颜色互相不同的多个子像素,
各个所述子像素具有与像素电极对置的发光区域,以及设置在所述发光区域周围的可视光透射区域;并且具有以遍及从所述发光区域到所述可视光透射区域的区域的方式设置的发光层,
在各个所述子像素中,所述可视光透射区域相对所述发光区域设置在所述多个显示像素的第一排列方向的位置。
11.根据权利要求10所述的发光装置,其中,
在各个所述子像素中,所述可视光透射区域设置在所述发光区域的所述第一排列方向的两侧。
12.根据权利要求10所述的发光装置,其中,
进一步具备多个第一壁部,
所述多个第一壁部在所述第一排列方向上区划所述多个子像素。
13.根据权利要求12所述的发光装置,其中,
进一步具备第二壁部,
所述第二壁部,在被相邻的2个所述第一壁部夹持的区域区划相邻的2个所述子像素,并且其高度比所述第一壁部的高度低,
所述发光层以横跨所述第二壁部且遍及从相邻的2个所述子像素中的一个到另一个的区域的方式设置。
14.根据权利要求12所述的发光装置,其中,
进一步具备多个非显示像素,
所述多个非显示像素在所述基板上配置成矩阵状,并且具有透光性,
所述多个非显示像素,在与所述第一排列方向正交的第二排列方向上与所述多个显示像素交替配置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的