[发明专利]用于图像传感器的光刻

权利要求书

1.一种图像传感器光刻方法，其特征在于，包括：

离子注入步骤，通过至少两次曝光以便以交叠的方式执行深光电二极管隔离结构离子注入，使得通过所述至少两次曝光而形成的深光电二极管隔离结构离子注入区域交叠形成期望的深光电二极管隔离结构离子注入区域，并且

其中，通过所述至少两次曝光中的每一次曝光形成的深光电二极管隔离结构离子注入区域中的间隔尺寸均大于期望形成的深光电二极管隔离结构离子注入区域中的间隔尺寸。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述至少两次曝光中的各次曝光形成的深光电二极管隔离结构离子注入区域中的间隔尺寸均是相等的，并且为期望形成的深光电二极管隔离结构离子注入区域中的间隔尺寸的两倍。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述至少两次曝光包括两次曝光，并且所述离子注入步骤包括：

通过第一曝光执行深光电二极管隔离结构离子注入，以形成第一深光电二极管隔离结构离子注入区域；以及

通过第二曝光在第一深光电二极管隔离结构离子注入区域上交叠地执行深光电二极管隔离结构离子注入以形成第二深光电二极管隔离结构离子注入区域；

其中，通过第一深光电二极管隔离结构离子注入区域和第二深光电二极管隔离结构离子注入区域的交叠来形成具有期望的深光电二极管隔离结构离子注入区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一曝光和第二曝光采用覆盖面积不同的、具有相同间隔尺寸的方形网格状掩模执行。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一曝光和第二曝光分别采用覆盖面积相同的、具有相同间隔尺寸的方形网格状掩模和交叉网格状掩模执行。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述至少两次曝光包括三次曝光，并且所述离子注入步骤包括：

通过第一曝光执行深光电二极管隔离结构离子注入，以形成第一深光电二极管隔离结构离子注入区域；

通过第二曝光在第一深光电二极管隔离结构离子注入区域上交叠地执行深光电二极管隔离结构离子注入以形成第二深光电二极管隔离结构离子注入区域，其中第二深光电二极管隔离结构离子注入区域相对于第一深光电二极管隔离结构离子注入区域在第一方向上移动预定尺寸的距离；以及

通过第三曝光在第一深光电二极管隔离结构离子注入区域上交叠地执行深光电二极管隔离结构离子注入以形成第三深光电二极管隔离结构离子注入区域，其中第三深光电二极管隔离结构离子注入区域相对于第一深光电二极管隔离结构离子注入区域在第二方向上移动预定尺寸的距离，第二方向与第一方向垂直；

其中，通过第一深光电二极管隔离结构离子注入区域到第三深光电二极管隔离结构离子注入区域的交叠来形成期望的深光电二极管隔离结构离子注入区域。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，第一曝光到第三曝光采用相同的方形网格状掩模执行，并且所述预定尺寸为所述期望的深光电二极管隔离结构离子注入区域的间隔尺寸。