[发明专利]柔性有机发光二极管(OLED)显示基板及其制作方法在审
申请号: | 201811465761.9 | 申请日: | 2018-12-03 |
公开(公告)号: | CN109638043A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 贾永臻 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弯折 柔性有机发光二极管 导电线路 显示基板 线路流 液态导电材料 非显示区 显示区 金属线部 连接线路 封装层 良品率 易断线 间格 流道 制作 储存 封闭 | ||
本发明提供一种柔性有机发光二极管(OLED)显示基板及其制作方法,其中柔性有机发光二极管(OLED)显示基板包括显示区、非显示区及连接显示区和非显示区的弯折容许区,其特征在于,所述弯折容许区设有相互间格的多个液态导电线路,任一所述液态导电线路包括设于所述弯折容许区内的线路流道及连接线路流道两端的一金属线部,所述线路流道上设有封装层以储存液态导电材料,其中所述液态导电材料封闭于所述线路流道内。藉此,液态导电线路能够大幅提高弯折容许区的良品率,消除现行弯折容许区弯折过程易断线的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种柔性有机发光二极管(OLED)显示基板及其制作方法。
背景技术
智能手机现在已进入了全面屏(Full Screen Display)时代,各大手机厂商均以高屏占比作为各自品牌旗舰手机的主打卖点。对于面板厂商而言,提高屏占比势必要将非显示区域(即Pad Bending)反向弯折到显示区域的背面,这样才能最大限度的提高手机屏占比。因此,Pad Bending区域的弯折性能是全面屏生产厂商着力研究的问题。
现有Pad Bending区结构通常采用钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)或者钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)的金属线路结构,金属线路通过等离子溅射的工艺沉积到基底膜层表面,并在高温激冷状态下凝固形成脆性的非晶组织。该工艺不可避免地在金属线路表面形成了微裂纹,这些微裂纹在Pad Bending结构弯折过程中发生裂纹扩展,最终造成金属线路断线。Pad Bending的弯折断线问题是OLED全面屏模组段制程的重要难题,是造成Pad bending良品率降低的主要原因。此外,由于裂纹宽度细窄,一般显微镜下难于察觉,含有断线问题的产品也较难进行修复。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种柔性有机发光二极管(OLED)显示基板及其制作方法,以解决现有技术所存在OLED显示面板在弯折过程中易发生金属线路断裂的问题。
本发明的目的在于提供一种柔性有机发光二极管(OLED)显示基板及其制作方法,采用高导电率且高抗弯折强度(Bending Strength)的液态导电材料作为液态导电线路,以有机高分子材料对液态导电材料进行封装,并在Pad Bending区域的两端进行金属线部与液态导电材料的过渡设计,增大与液态导电材料的接触面积,保证良好的电性导通效果与功能完好。
为达成本发明的前述目的,本发明一实施例提供一种柔性有机发光二极管(OLED)显示基板,所述柔性OLED显示基板包括显示区、非显示区及连接显示区和非显示区的弯折容许区,其特征在于,所述弯折容许区设有相互间格的多个液态导电线路,任一所述液态导电线路包括设于所述弯折容许区内的线路流道及连接线路流道两端的一金属线部,所述线路流道上设有封装层以储存液态导电材料,其中所述液态导电材料封闭于所述线路流道内。
在本发明的一实施例中,所述金属线部一端伸入所述线路流道内并与所述液态导电材料接触形成电性导通,所述金属线部另一端分别电性连接所述显示区和所述非显示区。
在本发明的一实施例中,所述线路流道结构为线型、双链条型、交错三链条型或交错四链条型。
在本发明的一实施例中,所述线路流道断面形状为圆形、椭圆形或矩形。
在本发明的一实施例中,所述液态导电材料为金属汞或饱和强电解质溶液。
在本发明的一实施例中,所述封装层为有机高分子材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的