[发明专利]一种太阳能电池片用硅片的背表面的钝化方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池片用硅片的背表面的钝化方法，包括以下步骤：S1前处理；S2表面热氧化：对经前处理后的硅片，通过正常氨气预处理，第一层镀膜和第二层镀膜结束后，进行氢气等离子沉积；S3后处理，所述前处理包括表面制绒、扩散制结、周边刻蚀和去磷硅玻璃清洗，所述后处理包括沉积减反射膜、印刷电极和烧结，所述氨气预处理是利用通入氨气，经高频店里后对硅片表面进行预处理；其中氨气预清洗参数设置为：沉积温度300‑400℃，功率为4200‑5000W，氨气流量为4‑6l/min,压力1600‑1700mTor,占空比4:35ms,清洗时间10‑18s。该太阳能电池片用硅片的背表面的钝化方法，能够提供良好的钝化效果，大大提升了电池的性能。

技术领域

本发明属于太阳能电池片技术领域，具体涉及一种太阳能电池片用硅片的背表面的钝化方法。

背景技术

光伏发电作为一种清洁、安全、便利的清洁能源，在可再生能源技术中具有重要地位。我国正大力支持光伏行业的发展，深入研究和利用太阳能资源，对缓解资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的半导体器件。太阳能电池的良品率指太阳能电池生产线上制备的太阳能电池良品的数量与投入材料的理论产出数量的比值。良品率是衡量太阳能电池生产线优劣的重要指标。氧化钝化工艺是太阳能电池生产中的重要工艺步骤。传统的氧化钝化方法是将太阳能电池生产线上的硅片直接进行氧化钝化处理，这种方法常常导致太阳能电池的良品率低。

因此针对这一现状，迫切需要设计和生产一种太阳能电池片用硅片的背表面的钝化方法，以满足实际使用的需要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能电池片用硅片的背表面的钝化方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种太阳能电池片用硅片的背表面的钝化方法，包括以下步骤：

S1、前处理；

S2、表面热氧化：对经前处理后的硅片，通过正常氨气预处理，第一层镀膜和第二层镀膜结束后，进行氢气等离子沉积；

S3、后处理。

优选的，所述前处理包括表面制绒、制作PN结和蚀刻抛光，表面制绒：采用清洗液对晶体硅片的两侧的表面进行清洗、腐蚀，在晶体硅片的表面形成陷光结构；制作PN结：将两块晶体硅片的背面背对背放入高温扩散炉中，在惰性气体的保护下，向炉内通入的三氯氧磷和氧气气体在700℃-900℃下发生化学反应，形成的磷元素扩散至与气体接触的扩散层中，与P型晶体硅片形成PN结；蚀刻抛光：将硅片放入硝酸和氢氟酸的清洗液中，去除磷硅玻璃和硅片侧面的PN结，同时对硅片的背面进行抛光处理。

优选的，所述后处理包括激光开槽、修复优化、正面镀膜和电极制作，激光开槽：在硅片的背面采用激光开槽法在电极栅极线所在的位置进行开槽，所开的激光槽贯穿钝化层，激光槽的底面与硅基底相接触；修复优化：采用化学蚀刻法对硅片背面的激光槽的底面与侧壁进行平坦化修复处理，并对硅片正面扩散层进行刻蚀；正面镀膜：将硅片放置臭氧中，在电池的正面形成一层Si氧气膜后，用等离子气相沉淀法法在硅片的表面沉积一层第二氮化硅薄膜；电极制作：采用丝网印刷法先后在硅片的背面和正面印刷制作背电极和正电极，经烘干后，将硅片置于烧结炉中进行烧结。

优选的，所述氨气预处理是利用通入氨气，经高频店里后对硅片表面进行预处理；其中氨气预清洗参数设置为：沉积温度300-400℃，功率为4200-5000W，氨气流量为4-6l/min,压力1600-1700mTor,占空比4:35ms,清洗时间10-18s。