[发明专利]电子设备

权利要求书

1.一种电子设备，其包括半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括：

第一磁性层；

第二磁性层；以及

间隔层，其介于所述第一磁性层与所述第二磁性层之间，

其中，所述间隔层包括第一层、第二层以及介于所述第一层与所述第二层之间的中间层，

其中，所述第一层和所述第二层中的每个层包括氧化物或氮化物，或者氧化物与氮化物的组合，所述中间层包括包含[Ru/x]_n或[x/Ru]_n的多层结构，其中x包括金属、氧化物或氮化物，所述金属包括Ir、Rh、Ta、Pt、Co或Cr或者其组合，所述氧化物包括CoO_y、FeO_y或NiO_y或者其组合，或者所述氮化物包括CoN、FeN、NiN或TaN或者其组合，且其中n表示1或更大的整数。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一磁性层、所述间隔层、所述第二磁性层形成合成反铁磁结构。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述间隔层具有0.5nm或更大的厚度。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述间隔层被构造为在比如下Ru单层的厚度大的厚度处呈现期望的交换耦合特性：所述Ru单层用作所述间隔层以呈现所述期望的交换耦合特性。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的每个磁性层具有固定磁化方向，且所述第一磁性层的磁化方向与所述第二磁性层的磁化方向彼此反向平行。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的每个磁性层包括包含铁磁材料的单层结构或多层结构。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一磁性层包括具有固定磁化方向的钉扎层，而所述第二磁性层包括被构造为抵消或减少由所述钉扎层产生的杂散磁场的影响的移位消除层。

8.根据权利要求1所述的电子设备，还包括材料层，所述材料层介于所述第一磁性层与所述第二磁性层之间并被构造为释放由于所述第一磁性层与所述第二磁性层之间的晶格结构的差异和晶格不匹配而引起的应力。

9.一种电子设备，其包括半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括磁隧道结结构，所述磁隧道结结构包括具有可变磁化方向的自由层、具有固定磁化方向的钉扎层以及介于所述自由层与所述钉扎层之间的隧道阻挡层，

其中，所述自由层或所述钉扎层包括第一磁性层、第二磁性层以及介于所述第一磁性层与所述第二磁性层之间的间隔层，并且被构造成使得所述第一磁性层与所述第二磁性层通过所述间隔层而进行反铁磁交换耦合，

其中，所述间隔层包括包含[Ru/x]_n或[x/Ru]_n的多层结构，并且在比如下Ru单层的厚度大的厚度处呈现期望的交换耦合特性：所述Ru单层用作所述间隔层以呈现所述期望的交换耦合特性，其中x包括金属、氧化物或氮化物，所述金属包括Ir、Rh、Ta、Pt、Co或Cr或者其组合，所述氧化物包括CoO_y、FeO_y或NiO_y或者其组合，或者所述氮化物包括CoN、FeN、NiN或TaN或者其组合，且n表示1或更大的整数。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述间隔层具有0.5nm或更大的厚度。

11.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述间隔层还包括设置在所述多层结构之上并包括氧化物或氮化物或者其组合的材料层以及设置在所述多层结构下面并包括氧化物或氮化物或者其组合的另一个材料层。