[发明专利]后镇流式纵向NPN晶体管

权利要求书

1.一种集成电路即IC，其包括：

半导体结构；

N掺杂层，其位于所述半导体结构的中部中；

P掺杂层，其位于所述半导体结构中的所述N掺杂层上方；

N掺杂区，其位于所述半导体结构的上部中，所述N掺杂区包括第一侧和第二侧；

P掺杂区，其位于所述半导体结构的所述上部中，所述P掺杂区包括第一侧和第二侧，所述第二侧沿着所述N掺杂区的所述第一侧；

深N掺杂区，其电气连接到所述N掺杂区的所述第二侧，所述深N掺杂区从所述半导体结构的所述上部向下延伸通过所述P掺杂层并且进入所述N掺杂层中；以及

NPN双极晶体管，其包括：n型发射极，其位于所述P掺杂区的上部中；p型基极，其在所述发射极与所述P掺杂区的所述第二侧之间的所述P掺杂区的所述上部中与所述发射极横向间隔开；以及n型集电极，其在所述N掺杂区的上部中与所述基极横向间隔开，所述集电极包括第一集电极部分，位于所述第一集电极部分和所述深N掺杂区之间的第二集电极部分，位于所述第一集电极部分的上表面上的导电硅化物集电极触点，以及位于所述第二集电极部分的上表面上的不导电电介质。

2.根据权利要求1所述的IC，还包括n型隔离区，其位于所述N掺杂区的下方并且部分地进入所述P掺杂层的上部，所述隔离区包括沿着所述深N掺杂区的上部延伸的侧。

3.根据权利要求2所述的IC，其中所述半导体结构包括：

p型半导体衬底；以及

p型外延硅结构，其设置在所述半导体衬底上方，所述外延硅结构包括：

p型第一外延层，其位于所述半导体衬底上方，包括位于所述第一外延层的上部中的所述N掺杂层，

p型第二外延层，其位于所述第一外延层上方，所述第二外延层包括位于所述第二外延层的上部中的所述P掺杂层，以及

p型第三外延层，其位于所述第二外延层上方，所述第三外延层包括所述发射极、所述基极和所述集电极。

4.根据权利要求3所述的IC，其中所述集电极还包括第三集电极部分，其位于所述第一集电极部分和所述基极之间，并且其中所述不导电电介质位于所述第三集电极部分的上表面上。

5.根据权利要求4所述的IC，还包括深沟槽结构，其包括p型多晶硅和将所述半导体结构的第一衬底区域和第二衬底区域分开的氧化物侧壁，其中所述晶体管位于所述第一衬底区域中，并且其中所述深N掺杂区域沿着所述深沟槽结构的所述氧化物侧壁从所述半导体结构的所述上部向下延伸通过所述P掺杂层并且进入所述N掺杂层。

6.根据权利要求5所述的IC，还包括n型区，其在所述半导体结构的所述上部中在所述N掺杂区和所述深N掺杂区之间延伸。

7.根据权利要求1所述的IC，其中所述半导体结构包括：

p型半导体衬底；以及

p型外延硅结构，其设置在所述半导体衬底上方，所述外延硅结构包括：

p型第一外延层，其位于所述半导体衬底上方，包括位于所述第一外延层的上部中的所述N掺杂层，

p型第二外延层，其位于所述第一外延层上方，所述第二外延层包括位于所述第二外延层的上部中的所述P掺杂层，以及

p型第三外延层，其位于所述第二外延层上方，所述第三外延层包括所述发射极、所述基极和所述集电极。

8.根据权利要求1所述的IC，其中所述集电极还包括第三集电极部分，其位于所述第一集电极部分和所述基极之间，并且其中所述不导电电介质位于所述第三集电极部分的上表面上。

9.根据权利要求1所述的IC，还包括深沟槽结构，其包括p型多晶硅和将所述半导体结构的第一衬底区域和第二衬底区域分开的氧化物侧壁，其中所述晶体管位于所述第一衬底区域中，并且其中所述深N掺杂区沿着所述深沟槽结构的所述氧化物侧壁从所述外延硅结构的所述上部向下延伸通过所述P掺杂层并且进入所述N掺杂层。