[发明专利]一种晶圆键合加压装置、晶圆键合的方法及晶圆键合设备在审
| 申请号： | 201811469206.3 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111223810A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王盛凯;王英辉 | 申请（专利权）人： | 中科院微电子研究所昆山分所 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆键合 加压 装置 方法 设备 | ||
1.一种晶圆键合加压装置，其特征在于，所述晶圆键合加压装置的压头包括至少两个的子压头；
每个所述子压头对待键合晶圆施加压力的区域不相同，使得在加压键合过程中，待键合晶圆的键合前沿点可逐步延伸至所述待键合晶圆的各个边缘。
2.如权利要求1所述的晶圆键合加压装置，其特征在于，所述子压头为嵌套设置的子压头。
3.如权利要求2所述的晶圆键合加压装置，其特征在于，所述子压头为同心子压头。
4.如权利要求3所述的晶圆键合加压装置，其特征在于，所述同心子压头为同心空心圆柱状子压头。
5.如权利要求1至4任一条所述的晶圆键合加压装置，其特征在于，所述子压头的数量为3至5个。
6.一种晶圆键合的方法，其特征在于，包括：
提供待键合晶圆；
在预设温度下，使用如权利要求1至5中任一种晶圆键合加压装置对所述待键合晶圆加压，具体操作为依次使用不同子压头逐渐向所述待键合晶圆的边缘加压，使所述待键合晶圆的键合前沿点逐步延伸至所述待键合晶圆的各个边缘；
对经过加压处理的待键合晶圆进行退火处理，得到键合后的晶圆。
7.如权利要求6所述的晶圆键合的方法，其特征在于，所述待键合晶圆在进行加压处理前，还包括：
对所述晶圆进行表面抛光和表面清洁处理。
8.如权利要求6所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述预设温度为25摄氏度至150摄氏度，包括端点值。
9.一种晶圆键合设备，其特征在于，所述晶圆键合设备包括如权力要求1至5任一项所述的晶圆键合加压装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
