[发明专利]一种低压降镜像电流源电路有效
| 申请号： | 201811469369.1 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109283965B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 白春风;张威;乔东海;赵鹤鸣 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 降镜像 电流 电路 | ||
1.一种低压降镜像电流源电路,其特征在于：包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一参考电流源I1、第二参考电流源I2、第一NMOS管N1和第二NMOS管N2；
所述第一PMOS管P1与第二PMOS管P2镜像对称，所述第一参考电流源I1的一端分别连接到电压源VDD、第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极，所述第一参考电流源I1的输出端分别连接到第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极和第二NMOS管N2的漏极，所述第二参考电流源I2的一端接地，所述第二参考电流源I2的输出端分别连接到第一NMOS管N1的源极和第二NMOS管N2源极，所述第一PMOS管P1的漏极连接到第二NMOS管N2的栅极并作为电流输出端，所述第二PMOS管P2的漏极分别连接到第一NMOS管N1的漏极和栅极。
2.根据权利要求1所述的低压降镜像电流源电路,其特征在于：所述第一PMOS管P1与第二PMOS管P2的尺寸相匹配，且所述第一PMOS管P1与第二PMOS管P2的尺寸比为1:1；所述第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的尺寸相匹配，且所述第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的尺寸比为1:1。
3.根据权利要求1所述的低压降镜像电流源电路,其特征在于：所述第一参考电流源I1和第二参考电流源I2均为偏置恒定电流源。
4.根据权利要求3所述的低压降镜像电流源电路,其特征在于：所述第一参考电流源I1和第二参考电流源I2的电流比值为1:2。
5.根据权利要求1所述的低压降镜像电流源电路,其特征在于：所述第一NMOS管N1为二极管连接的NMOS管，所述第二NMOS管N2工作在饱和区。
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