[发明专利]激光晶化装置在审
申请号: | 201811470485.5 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109872961A | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 三宫暁史;李惠淑;柳济吉;韩圭完;崔银善 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏振分束器 晶化装置 输入光 偏振旋转器 激光 光学系统 偏振状态 输出光 行进 激光发生器 输入光转换 被加工物 方向交叉 光反射 光透射 激光束 工作台 入射 反射 照射 镜子 | ||
1.一种激光晶化装置,包括:
激光发生器,发生激光束形态的至少一个输入光;
光学系统,将从所述激光发生器接收的所述输入光转换为至少一个输出光;以及
工作台,安装被加工物,并被所述输出光照射,
其中,所述光学系统包括:
第一偏振旋转器,改变所述输入光的偏振状态;
偏振分束器,在光路上布置于所述第一偏振旋转器的后方,并根据偏振状态将入射的光透射或反射,从而将所述输入光分支为沿第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向行进的光;以及
多个镜子,将从所述偏振分束器分支后的光中沿所述第一方向行进的光反射而使其再次朝向所述偏振分束器,从而形成环路,
被所述偏振分束器分支后的光中沿所述第二方向行进的光朝向所述工作台照射。
2.如权利要求1所述的激光晶化装置,其中,
通过所述偏振分束器而沿所述第一方向分支的光第1至第n次通过所述环路,并且第n次通过所述环路后沿所述第二方向分支的光与第n-1次通过环路后沿所述第二方向分支的光混合,且所述n为2以上的自然数。
3.如权利要求2所述的激光晶化装置,其中,
混合后的所述光具有一个脉冲形态,
并且混合后的所述光的半宽度大于所述输入光的半宽度。
4.如权利要求2所述的激光晶化装置,其中,
从所述偏振分束器向多个镜子提供的光量随着所述环路次数的增加而减小,
当所述环路次数为4以上时,混合后的所述输出光的光量是所述输入光的光量的90%以上。
5.如权利要求2所述的激光晶化装置,其中,
所述第一偏振旋转器包括半波片。
6.如权利要求5所述的激光晶化装置,其中,还包括:
分束器,在所述光路上布置于所述光学系统与所述工作台之间;以及
监测部,从所述分束器接收分支后的光中的一部分而对混合后的所述光的强度及半宽度进行测定。
7.如权利要求6所述的激光晶化装置,其中,
所述第一偏振旋转器还包括使所述半波片旋转的旋转部件。
8.如权利要求7所述的激光晶化装置,其中,
所述监测部包括控制所述旋转部件的控制部。
9.如权利要求1所述的激光晶化装置,其中,
所述输入光是固体激光。
10.如权利要求1所述的激光晶化装置,其中,还包括:
第二偏振旋转器,在所述光路上布置于所述光学系统的最后方,进而改变入射的光的偏振状态,
并且,所述输入光的偏振状态与所述输出光的偏振状态相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造