[发明专利]一种SLD、LD光源SIP模块的制备方法

说明书

本公开涉及一种SLD、LD光源SIP模块的制备方法，包括：SiP模块内部基板采用8层高密度PCB器件内埋工艺，内部互联采用盲埋孔设计实现，其中L2、L3、L5、L7为主走线层，无源器件内埋在L4层，首先，在基板的核心介质层上压接金属层，之后在金属层上制作图像，形成L4和L5层；其次，在L4、L5层上下压接介质材料；再次，在L4层之上的介质层SMT焊接无源器件；再次，继续向上和向下形成两层金属层，形成L3层、L6层，重复上述过程制造L2层、L7层及L1、L8层，最后按照PCB工艺完成钻孔、阻焊等工艺。本发明的优点是：实现简单，制备的SLD、LD光源SiP模块与传统方案相比电路面积缩减40％。

技术领域

本发明涉及一种SLD、LD光源SIP模块的制备方法。

背景技术

常见的电路系统高度集成方法主要有两种，一种是SoC(Aystem on Chip)片上系统芯片，一种是SiP(System in Package)系统级封装。SoC是在一块芯片上整体实现数字电路、模拟电路甚至数模混合电路等多种功能，如在一块芯片上实现DSP、FPGA、存储器、接口驱动等，其优点是能够做到体积更小、性能更好、大批量生产时的成本更低，但是，若要把上述电路的各芯片集成在同一芯片上，工艺上较复杂，研发周期较长，设计错误、产品延迟和芯片制造反复等原因都可能导致成本增加，实现难度较大。传统的SLD(超辐射发光二极管)与LD(发光二极管)设计技术方案主要有以下缺点：电路布局非常紧凑，再减小电路面积困难。需根据整机系统结构要求不断变换外形尺寸，因此，重复对电路板布局布线，增加工作量。难实现通用化、模块化，需对每块电路进行装配焊接，效率不高，可靠性无法保证。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其具有比能量高、激活准备时间短的优点。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其特征在于，包括：SiP模块内部基板采用8层高密度PCB器件内埋工艺，内部互联采用盲埋孔设计实现，其中L2、L3、L5、L7为主走线层，无源器件内埋在L4层，器件内部工艺流程如下：

首先，在基板的核心介质层上压接金属层，之后在金属层上制作图像，形成L4和L5层；

其次，在L4、L5层上下压接介质材料；

再次，在L4层之上的介质层SMT焊接无源器件；

再次，继续向上和向下形成两层金属层，形成L3层、L6层，重复上述过程制造L2层、L7层及L1、L8层，最后按照PCB工艺完成钻孔、阻焊等工艺。

与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：

实现简单，本发明的SiP模块的技术方案并非HDI高密度PCB板集成，也非裸芯片SiP设计，而是采用高密度内埋无源器件基板设计的方案，该方案选用成品芯片进行设计，器件成本比较低。同时，基板内埋工艺相对封装基板材料价格也有优势，同时该产品在小型化程度、产品质量可靠性方面也可以保证。本发明方法制备的SLD、LD光源SiP模块与传统方案相比电路面积缩减40％，从根本上解决光纤陀螺用电路小型化问题。SLD、LD光源SiP模块性能稳定、工作可靠，避免因整机结构变化而重复电路板设计，减少整机电路设计的工作量和难度，提高效率。SLD、LD光源SiP模块实现通用化、模块化后，焊点减少，降低了电路装配的难度。

附图说明

图1是本发明的SLD、LD光源SIP模块的结构示意图。

具体实施方式

下面通过具体实施方案对本发明作进一步详细描述，但这些实施实例仅在于举例说明，并不对本发明的范围进行限定。