[发明专利]双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构及其制备方法

权利要求书

1.一种双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构，它包括N型晶体硅片（1），所述N型晶体硅片（1）的正面和背面均设有非晶硅本征层（2），正面和背面的非晶硅本征层（2）的外侧均设有TCO导电膜（7），所述TCO导电膜（7）的外侧设有若干Ag电极（8），其特征在于：所述N型晶体硅片（1）的背面的非晶硅本征层（2）和TCO导电膜（7）之间设有两层掺杂浓度不同的非晶硅掺杂层，即第一层掺杂层（5）和第二层掺杂层（6），所述第一层掺杂层（5）设置在靠近非晶硅本征层（2）的一侧，所述第二层掺杂层（6）设置在靠近TCO导电膜（7）的一侧。

2.根据权利要求1所述的一种双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构，其特征在于：所述第一层掺杂层（5）的厚度为1~20nm，掺杂浓度为0.5%~1%。

3.根据权利要求1所述的一种双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构，其特征在于：所述第二层掺杂层（6）的厚度为1~20nm，掺杂浓度为1%~4%。

4.一种权利要求1所述的双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构的制备方法，其特征在于，包括以下几个步骤：

第一步、选取基材N型单晶硅片（1）进行制绒、清洗处理；

第二步、通过PECVD制备正背面的双本征非晶硅层；

第三步、选取N型非晶硅膜为受光面掺杂层；

第四步、使用等离子体增强化学气相沉积制备N型非晶硅层，即非晶硅掺杂层N层（3）；

第五步、使用PECVD制备P型非晶硅层，第一层采用0.5%~1%的掺杂浓度形成第一掺杂层（5），第二层采用1%~4%的掺杂浓度形成第二掺杂层（6）；

第六步、使用RPD或者PVD方法沉积TCO导电膜（7）；

第七步、通过丝网印刷形成正背面Ag电极（8）；

第八步、固化使得银栅线与TCO导电膜（7）之间形成良好的欧姆接触；

第九步、进行测试电池的电性能。

5.根据权利要求4所述的双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构的制备方法，其特征在于: 所述第一掺杂层（5）的厚度为1~20nm，所述第二掺杂层（6）的厚度为1~20nm，两层非晶硅掺杂层的总厚度为7~15nm。

6.根据权利要求4所述的双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构的制备方法，其特征在于: 所述正背面的非晶硅本征层（2）厚度为5~10nm。

7.根据权利要求4所述的双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构的制备方法，其特征在于: 所述非晶硅掺杂层N层（3）厚度为4~8nm。

8.根据权利要求4所述的双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构的制备方法，其特征在于:所述TCO导电膜（7）厚度为70~110nm。