[发明专利]形成半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件的方法有效
| 申请号： | 201811472347.0 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109346578B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 极性 氮化 量子 阱蓝光 发光 器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件的方法，包括：
在无掺杂的氮化镓缓冲层上形成N型氮化镓层；
以每秒钟0.2Å-0.8 Å的沉积速度在N型氮化镓层上形成InxGayN1-x-y式的半导体材料的单量子阱有源层，其中x值为0.1-0.2之间，所述单量子阱的厚度为4Å-9 Å；以及
在所述单量子阱有源层形成P型氮化镓层；
在N型氮化镓层和单量子阱有源层之间形成第一静电保护层；以及
在P型氮化镓层和单量子阱有源层之间形成第二静电保护层，
所述第一静电保护层和第二静电保护层为无掺杂的GaN层或InGaN层或低掺杂浓度的GaN层或InGaN层；所述第一静电保护层和第二静电保护层厚度为200-500Å；第一静电保护层掺杂浓度低于1×1018/cm3；第二静电保护层掺杂浓度不高于5×1018/cm3。
2.根据权利要求1所述的形成半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件的方法，其中所述单量子阱的厚度为6 Å。
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