[发明专利]一种晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉在审

专利信息
申请号: 201811472539.1 申请日: 2018-12-04
公开(公告)号: CN111270301A 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 沈伟民;王刚;邓先亮;陈伟德;黄瀚艺 申请(专利权)人: 上海新昇半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201306 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶体生长 导流
【权利要求书】:

1.一种晶体生长炉的导流筒,其特征在于,包括内筒、外筒和设置在所述内筒和所述外筒之间的隔热材料,其中所述内筒的热阻较所述外筒的热阻低。

2.根据权利要求1所述的导流筒,其特征在于,所述外筒的壁厚与所述内筒的壁厚的比值大于0且小于等于1。

3.根据权利要求2所述的导流筒,其特征在于,外筒的壁厚与所述内筒的壁厚的比值大于0且小于1,所述内筒和所述外筒设置为同一材料。

4.根据权利要求2所述的导流筒,其特征在于,所述内筒和所述外筒均设置为石墨材料。

5.根据权利要求4所述的导流筒,其特征在于,所述内筒的壁厚的范围为10-14mm,所述外筒的壁厚的范围为6mm-10mm。

6.根据权利要求2所述的导流筒,其特征在于,所述内筒与所述外筒设置为不同的材料,其中所述内筒的热导率较所述外筒的热导率大。

7.根据权利要求5所述的导流筒,其特征在于,所述内筒的材料设置为第一石墨材料,所述外筒的材料设置为第二石墨材料或陶瓷材料,其中所述第二石墨材料和所述陶瓷材料的热导率小于所述第一石墨材料的热导率。

8.根据权利要求1所述的导流筒,其特征在于,所述隔热材料包括玻璃纤维、石棉、岩棉、软毡或真空层。

9.一种晶体生长炉,其特征在于,包括如权利要求1-8任意一项所述的导流筒。

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