[发明专利]半极性氮化镓半导体构件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811473216.4 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109378375A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化镓半导体 半极性 源层 泄漏电流 防护层 量子阱层 制造 | ||
1.一种半极性氮化镓半导体构件，其包括：
N型氮化镓层；
P型氮化镓层；
有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，包括一个或两个量子阱层；以及
第一泄漏电流防护层，位于N型氮化镓层与有源层之间；以及
第二泄漏电流防护层，位于有源层与P型氮化镓层之间。
2.根据权利要求1所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一泄漏电流防护层和第二泄漏电流防护层为无掺杂的GaN层或AlGaN层。
3.根据权利要求1所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一泄漏电流防护层和第二泄漏电流防护层为低掺杂浓度的GaN层或AlGaN层。
4.根据权利要求2或3所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述AlGaN层中Al的质量百分占比小于20％。
5.根据权利要求4所述半极性氮化镓半导体构件，其中第一泄漏电流防护层或第二泄漏电流防护层中的Al的质量百分占比小于有源层中的阻挡层中的Al的质量百分占比。
6.根据权利要求5所述半极性氮化镓半导体构件，其中第一泄漏电流防护层或第二泄漏电流防护层中的带隙宽度大于相邻有源层中的阻挡层的带隙宽度。
7.根据权利要求5所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一泄漏电流防护层的N型掺杂浓度小于1×1018/cm3，而所述第二泄漏电流防护层P型掺杂浓度小于5×1018/cm3。
8.根据权利要求1所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述所述第一泄漏电流防护层和第二泄漏电流防护层厚度为
9.一种形成半极性氮化镓半导体构件的方法，包括：
在无掺杂的氮化镓缓冲层上形成N型氮化镓层；
在N型氮化镓层上形成第一泄漏电流防护层；
在第一泄漏电流防护层形成有源层，其包括一个或两个量子阱层；
在有源层的阻挡层上形成第二泄漏电流防护层；以及
在第二泄漏电流防护层上形成P型氮化镓层。
10.根据权利要求9所述形成半极性氮化镓半导体构件的方法，其中，所述所述第一泄漏电流防护层和第二泄漏电流防护层厚度为
11.根据权利要求10所述形成半极性氮化镓半导体构件的方法，其中，其中所述第一泄漏电流防护层和第二泄漏电流防护层为无掺杂的GaN层或AlGaN层。
12.根据权利要求11所述形成半极性氮化镓半导体构件的方法，其中所述AlGaN层中Al的质量百分占比小于20％。
13.根据权利要求12所述形成半极性氮化镓半导体构件的方法，其中第一泄漏电流防护层和第二泄漏电流防护层中的Al的质量百分占比小于有源层中的阻挡层中的Al的质量百分占比。
14.根据权利要求12所述形成半极性氮化镓半导体构件的方法，其中第一泄漏电流防护层或第二泄漏电流防护层的带隙宽度大于相邻有源层中的阻挡层的带隙宽度。
15.根据权利要求12所述形成半极性氮化镓半导体构件的方法，其中，所述第一泄漏电流防护层为N型掺杂浓度小于1×1018/cm3的GaN层或AlGaN层，而所述第二泄漏电流防护层为P型掺杂浓度小于5×1018/cm3GaN层或AlGaN层。
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