[发明专利]觉知温度不稳定性的电路及其操作方法

说明书

本发明的实施例提供了一种电路，包括：第一类型的摆动减小电路，连接在输入/输出焊盘和缓冲电路之间；以及第二类型的摆动减小电路，连接在输入/输出焊盘和缓冲电路之间，其中，第一类型的摆动减小电路配置为当施加在输入/输出焊盘上的电压等于第一供电电压时，增加由缓冲电路的第一子集晶体管的相应栅极接收的电压，并且第二类型的摆动减小电路配置为当施加在输入/输出焊盘上的电压等于第二供电电压时，减小由缓冲电路的第二子集晶体管的相应栅极接收的电压。本发明的实施例还提供了一种操作电路的方法。

技术领域

本发明的实施例总体涉及电子电路，更具体地，涉及觉知温度不稳定性的电路及其操作方法。

背景技术

技术的不断进步已导致金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的物理尺寸逐渐减小。供电电压的幅值也相应地降低以节省功率并且适应MOSFET的物理尺寸的减小，并且MOSFET的相应阈值电压(V_ths)也已经降低，以减轻由于供电电压的降低而导致的降低的MOSFET栅极电压的性能劣化效应。结果，导致MOSFET的V_th的幅值发生变化的偏置温度不稳定(BTI)效应已成为一个问题。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种电路，包括：第一类型的摆动减小电路，连接在输入/输出焊盘和缓冲电路之间；以及第二类型的摆动减小电路，连接在所述输入/输出焊盘和所述缓冲电路之间，其中，所述第一类型的摆动减小电路配置为当施加在所述输入/输出焊盘上的电压等于第一供电电压时，增加由所述缓冲电路的第一子集晶体管的相应栅极接收的电压，并且所述第二类型的摆动减小电路配置为当施加在所述输入/输出焊盘上的电压等于第二供电电压时，减小由所述缓冲电路的第二子集晶体管的相应栅极接收的电压。

根据本发明的另一个方面，提供了一种电路，包括：摆动减小电路，连接在输入/输出焊盘和缓冲电路之间，其中，所述摆动减小电路配置为响应于等于第一供电电压的输入电压而增加所述输入电压并且将增加的所述输入电压提供给所述缓冲电路，或响应于等于第二供电电压的所述输入电压而降低所述输入电压，并且将降低的所述输入电压提供给所述缓冲电路，以及其中，所述第二供电电压远远大于所述第一供电电压。

根据本发明的又一个方面，提供了一种操作电路的方法，包括：接收在从第一供电电压至第二供电电压的范围内的输入电压；以及响应于所述输入电压等于所述第一供电电压，增加由缓冲电路的至少一个p型金属氧化物半导体场效应晶体管接收的第一电压，或者，响应于所述输入电压等于所述第二供电电压，降低由所述缓冲电路的至少一个n型金属氧化物半导体场效应晶体管接收的第二电压。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1示出根据一些实施例的包括摆动减小电路的电路的示例性框图。

图2A示出根据一些实施例的摆动减小电路的示例性电路图。

图2B示出根据一些实施例的摆动减小电路的另一示例性电路图。

图2C示出根据一些实施例的在摆动减小电路的不同节点处的电压幅值的示例性比较。

图2D示出根据一些实施例的在摆动减小电路的不同节点处的电压幅值的另一示例性比较。

图3示出根据各个实施例的操作图1的摆动减小电路的示例性方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，应该理解，当一个元件称为“连接至”或“耦合至”另一元件时，它可以直接连接至或耦合至其他元件，或可以存在一个或多个介于中间的元件。