[发明专利]一种循环液体式吸头,及其用于去除晶圆中微粒的方法在审
申请号: | 201811474224.0 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109671650A | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 王通;许继仁;林庆儒 | 申请(专利权)人: | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 青岛高晓专利事务所(普通合伙) 37104 | 代理人: | 付丽丽 |
地址: | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸头 循环液体 晶圆表面 清洗液 晶圆 吸嘴 环形喷嘴 整个晶圆 图案 去除 扫描 垂直对准 清洗过程 清洗效果 图案方向 移动循环 喷嘴 有效地 刮伤 吸出 喷洒 嵌入 浸润 清洗 开口 移动 | ||
1.一种循环液体式吸头,其特征在于,包括喷嘴和吸嘴,所述循环液体式吸头用于晶圆清洗,所述喷嘴不断向晶圆表面喷出液体,液体与微粒相互作用,紧接着,在外侧压力的作用下,所述吸嘴将喷出的液体吸走。
2.根据权利要求1所述的循环液体式吸头,其特征在于,吸嘴位于中心,环状的喷嘴环形围绕在吸嘴外侧,构成一体式结构的循环液体式吸头。
3.一种权利要求2所述循环液体式吸头用于清洗晶圆中微粒的方法,其特征在于,将所述循环液体式吸头的吸嘴和环形喷嘴的开口垂直对准晶圆表面,沿晶圆表面图案方向扫描,过程中,环形喷嘴不断将清洗液喷洒在晶圆表面,紧接着,在外侧压力的作用下,吸嘴将清洗液吸走,由清洗液浸润的微粒随之去除,清洗过程中,移动循环液体式吸头或移动晶圆,实现循环液体式吸头对整个晶圆表面的扫描。
4.根据权利要求3所述的用于清洗晶圆中微粒的方法,其特征在于,在循环液体式吸头开始工作之前,确定清洗策略,具体包括以下步骤:
(1)晶圆检测系统通过检测出晶圆中微粒坐标,得到晶圆上微粒数和分布,然后将微粒坐标导入垂直清洗系统;
(2)垂直清洗系统将微粒分布图与集成电路GDS中的特定区域进行对比,确定禁止清洗区和可清洗区,所述禁止清洗区是GDS中标识出的关键部分;
(3)然后垂直清洗系统根据可清洗区的微粒分布,确定最佳清洗路线,根据可清洗区的微粒的密集程度,选择清洗的强度和时间,最后垂直清洗系统根据指定的清洗策略控制循环液体式吸头工作。
5.根据权利要求4所述的用于清洗晶圆中微粒的方法,其特征在于,所述清洗策略,包括清洗路线,以及某区域的清洗时间和清洗强度。
6.根据权利要求4所述的用于清洗晶圆中微粒的方法,其特征在于,所述晶圆检测系统为表面缺陷扫描仪,垂直清洗系统分别与晶圆检测系统和循环液体式吸头连接,垂直清洗系统、晶圆检测系统和循环液体式吸头共同构成负压式清洗晶圆中微粒的装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造