[发明专利]一种太阳能电池结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201811474297.X | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109378353A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 许晏铭;彭钰仁;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/054 | 分类号： | H01L31/054;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀;王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池结构 太阳能电池 外延结构 衬底结构 聚光结构 透明 背离 光电转换效率 光线吸收量 电极结构 光线传输 所在平面 太阳光线 侧壁 入射 制作 申请 吸收 | ||
1.一种太阳能电池结构，其特征在于，包括：
衬底结构；
位于所述衬底结构第一侧的太阳能电池外延结构；
位于所述太阳能电池外延结构背离所述衬底结构一侧的透明聚光结构；
位于所述太阳能电池外延结构背离所述衬底结构一侧，与所述太阳能电池外延结构电连接的电极结构。
2.如权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述透明聚光结构包括至少一个聚光体，所述聚光体的形状为半椭圆状。
3.如权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述透明聚光结构包括多个聚光体，所述多个聚光体呈阵列排布。
4.如权利要求2或3所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述聚光体的材料为透明导电材料。
5.如权利要求2所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述聚光体的高度取值范围为0.5微米-5微米，包括端点值。
6.如权利要求2所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述聚光体与所述太阳能电池外延结构的接触面的直径取值范围为10微米-50微米，包括端点值。
7.如权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述透明聚光结构的折射率取值范围为1.2-2.7，包括端点值。
8.一种太阳能电池结构的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底结构上制备太阳能电池外延结构；
在所述太阳能电池外延结构的第二侧形成电极结构，所述电极结构与所述太阳能电池外延结构的第二侧电连接，所述第二侧为背离所述衬底结构的一侧；
在所述太阳能电池外延结构的第二侧形成透明聚光结构，所述透明聚光结构的位置与所述电极结构的位置不重叠。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述太阳能电池外延结构的第二侧形成透明聚光结构包括：
利用透明材料，在所述太阳能电池外延结构的第二侧形成至少一个聚光体，以形成透明聚光结构。
10.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述太阳能电池外延结构的第二侧形成透明聚光结构包括：
利用透明导电材料，在所述太阳能电池外延结构的第二侧形成多个聚光体，以形成透明聚光结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
