[发明专利]电流采样方法和电流采样电路

权利要求书

1.一种电流采样方法，其特征在于，所述方法包括：

获取多个并联的半导体开关器件中每个半导体开关器件的检测温度；

基于每个半导体开关器件的检测温度，确定所述多个并联的半导体开关器件处于电流均衡状态；

在所述电流均衡状态下，获取流过目标半导体开关器件的均衡电流，所述目标半导体开关器件为所述多个并联的半导体开关器件中的任一半导体开关器件；

根据所述均衡电流，确定与所述多个并联的半导体开关器件连接的主回路的总电流；

所述基于每个半导体开关器件的检测温度，确定所述多个并联的半导体开关器件处于电流均衡状态，包括：

计算多个检测温度中第一检测温度和第二检测温度的差值ΔT；所述第一检测温度大于所述多个检测温度中除所述第一检测温度之外的其他温度，所述第二检测温度小于所述多个检测温度中除所述第二检测温度之外的其他温度；

判断ΔT是否属于预设温度范围，所述预设温度范围根据预先测量的电流均衡状态下每个所述半导体开关器件的均衡温度确定；

若ΔT属于所述预设温度范围，则确定所述多个并联的半导体开关器件处于电流均衡状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

若确定所述多个并联的半导体开关器件不处于电流均衡状态，则降低每个半导体开关器件的栅极电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设温度范围为0～T₀，所述T₀为所述多个均衡温度中第一均衡温度与第二均衡温度的差值的2倍；

其中，所述第一均衡温度大于所述多个均衡温度中除所述第一均衡温度之外的其他温度，所述第二均衡温度小于所述多个均衡温度中除所述第二均衡温度之外的其他温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体开关器件为金属氧化物半导体场效应晶体MOS管或绝缘栅双极型晶体管。

5.据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述均衡电流，确定与所述多个并联的半导体开关器件连接的主回路的总电流，包括：

将所述均衡电流与所述多个半导体开关器件的总个数的乘积，作为所述总电流。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述半导体开关器件为MOS芯片，所述半导体开关器件的温度为所述MOS芯片的结温，且多个并联的所述MOS芯片封装在MOS集成模块内；

其中，所述根据所述均衡电流，确定与所述多个并联的半导体开关器件连接的主回路的总电流，包括：

根据流过目标MOS芯片的均衡电流I₁、所述目标MOS芯片的结温T₁、获取的所述集成模块所处环境的温度T_c和预先获取的所述集成模块的热电阻R，确定所述目标MOS芯片的源漏电压V_DS；

基于V_DS、R、T_c和n个其他MOS芯片中每一个其他芯片的结温T_i，得到流过所述每一个其他MOS芯片的均衡电流I_i；

将所有MOS芯片的均衡电流的和作为所述总电流；

其中，n为大于1的正整数，i为小于等于n的正整数。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，V_DS利用下面的表达式进行表示：

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，I_i利用下面的表达式进行表示：