[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

阳极；

空穴注入层，形成于所述阳极上；

空穴传输层，形成于所述空穴注入层上；

发光层，形成于所述空穴传输层上；

电子传输层，形成于所述发光层上；

电子注入层，形成于所述电子传输层上；

阴极，形成于所述电子注入层上；

其特征在于，所述发光层包括N个叠设的发光单元，各所述发光单元包括热激活延迟荧光材料层和量子点材料层，所述热激活延迟荧光材料层发射的光与所述量子点材料层发射的光合成白光，N≥1。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料层包括发射蓝光的热激活延迟荧光材料，所述量子点材料层包括发射黄光的第一量子点材料层，所述第一量子点材料层形成于所属发光单元的热激活延迟荧光材料层上。

3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料层的厚度范围为10nm～60nm，所述第一量子点材料层的厚度范围为50nm～250nm。

4.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一量子点材料层形成于所属的发光单元的热激活延迟荧光材料层上背离所述空穴传输层的一侧。

5.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料的最高占据态分子轨道能级的绝对值大于所述量子点材料的价带顶能级绝对值，所述热激活延迟荧光材料的最低未占据态分子轨道能级的绝对值大于所述量子点材料的导带底能级绝对值。

6.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光单元还包括发射绿光的第二量子点材料层，所述第二量子点材料层形成于所属发光单元中的热激活延迟荧光材料层上背离第一量子点材料层的一侧，或形成于所属发光单元中的第一量子点材料层上背离热激活延迟荧光材料层的一侧。

7.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层包括第一二氧化硅介孔框架和容纳于所述第一二氧化硅介孔框架内的空穴传输材料。

8.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层包括第二二氧化硅介孔框架和容纳于所述第二二氧化硅介孔框架内的电子传输材料。

9.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述量子点材料层包括第三二氧化硅介孔框架和容纳于所述第三二氧化硅介孔框架内的量子点材料。

10.一种发光器件，包括：

阳极；

空穴注入层，形成于所述阳极上；

空穴传输层，形成于所述空穴注入层上；

发光层，形成于所述空穴传输层上；

电子传输层，形成于所述发光层上；

电子注入层，形成于所述电子传输层上；

阴极，形成于所述电子注入层上；

其特征在于，所述发光层包括N个叠设的发光单元，N≥1，各所述发光单元包括：

热激活延迟荧光材料层，包括发射蓝光的热激活延迟荧光材料；

第一量子点材料层，包括发射黄光的量子点材料，形成于所属发光单元的热激活延迟荧光材料层上；

第二量子点材料层，包括发射绿光的量子点材料，形成于所属发光单元中的热激活延迟荧光材料层上背离第一量子点材料层的一侧，或形成于所属发光单元中的第一量子点材料层上背离热激活延迟荧光材料层的一侧，所述热激活延迟荧光材料的最高占据态分子轨道能级的绝对值大于所述量子点材料的价带顶能级绝对值，所述热激活延迟荧光材料的最低未占据态分子轨道能级的绝对值大于所述量子点材料的导带底能级绝对值。