[发明专利]一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器及探测方法

权利要求书

1.一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器，其特征在于：

该探测器包括闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元所分别形成的层，该闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元俯视均为矩形截面，且闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元的俯视矩形截面的面积相等；

所述闪烁晶体阵列单元由复数个相互平行的闪烁晶体条组成，所述闪烁晶体条均是长宽高的规格两两一致的长方体；所述闪烁晶体条两两之间均设有反光材料或者闪烁晶体条表面镀有反光材料；

所述硅光电倍增管阵列单元是由M个硅光电倍增管阵列排列而成的俯视截面为矩形的阵列集合体；

该硅光电倍增管阵列单元中的N块被替换为高反射率材料块，所述高反射率材料块为利用与该硅光电倍增管阵列单元形状适配的模具一体成型，该高反射率材料块是全部是均一的高反射率材料或者是面向闪烁晶体阵列单元的一面涂覆有高反射率材料，该高反射率材料块面向闪烁晶体阵列单元的一面的反射率不低于50％；

M，N都是大于1的自然数，且M-N≥1；

所述闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元所分别形成的层之间还具备一复数个光导片平铺所形成的层，该复数个光导片为同样形状的长方体，光导片的俯视截面为矩形；

光导片的俯视截面大小或者是与闪烁晶体条相同，或者是与硅光电倍增管阵列相同。

2.如权利要求1所述的一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器，其特征在于：

所述反光材料是选自超强级逆反射材料、工程级反光膜、高强级反光膜、增强频谱反射膜、硫酸钡涂层中的一种。

3.如权利要求2所述的一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器，其特征在于：在安装时每个光导片与闪烁晶体条在俯视方向上对正；在安装时每个硅光电倍增管与闪烁晶体条在俯视方向上对正。

4.如权利要求2或者3之一所述的一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器，其特征在于：

所述闪烁晶体阵列单元形成的层和所述复数个光导片平铺所形成的层，其相接触的面上，所有的闪烁晶体阵列单元的表面均是粗糙表面，或者所有光导片的表面都是粗糙表面。

5.如权利要求4所述的一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器，其特征在于：

所述的粗糙表面均是用打磨或锉制的方式制备，或者在表面涂覆或粘附使表面粗糙但又可以透光的物质。

6.一种PET探测方法，其利用了如权利要求2-5之一所述的一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器，其特征在于，包括以下步骤：

1)将每一个没有被替换的硅光电倍增管阵列视作一个电流源，将所有没有被替换的硅光电倍增管阵列的输出端并联，输出到总输出端线路；

2)利用前述PET探测器进行PET探测，将总输出端线路得到的电信号通过预处理电路进行预处理，再进行数字化，得到输出信号；

3)将步骤(2)所述的输出信号等效为将整个该硅光电倍增管阵列单元视为是一个整个的硅光电倍增管阵列的情况下所采集到的输出信号；

4)由运算终端将从前述所有的总输出端线路采集得到的输出信号全部采集，并根据预设对应关系分析LOR的存在情形，生成PET图像或PET动态图像。

7.一种PET探测方法，其利用了如权利要求2-5之一所述的一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器，其特征在于，包括以下步骤：

1)将每一个没有被替换的硅光电倍增管阵列视作一个电流源，将所有没有被替换的硅光电倍增管阵列的输出端并联，输出到总输出端线路；

2)利用前述PET探测器进行PET探测，将相邻的若干个总输出端线路得到的电信号通过预处理电路进行预处理，再进行数字化，得到输出信号；

3)将步骤(2)所述的输出信号等效为将步骤(2)所述的相邻的若干个总输出端线路所对应的所有光电倍增管阵列单元视为是一个单独的采集单元的情况下所采集到的输出信号；

4)由运算终端将从采集得到的来自所有的单独的采集单元的输出信号全部采集，并根据预设对应关系分析LOR的存在情形，生成PET图像或PET动态图像。