[发明专利]集成电路封装件及其形成方法有效
申请号: | 201811476004.1 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN110112115B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 侯上勇;黄松辉;黄冠育;胡宪斌;林于顺;黄贺昌;夏兴国;洪志杰;施应庆;高金福;魏文信;郭立中;吴集锡;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/31;H01L25/075;H01L21/56 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成集成电路封装件的方法,包括:
将集成电路管芯附接至第一衬底;
形成伪管芯,所述伪管芯内具有第一环形结构和位于所述第一环形结构所限定区域内的内部部分;
将所述伪管芯附接至所述第一衬底,所述伪管芯与所述集成电路管芯相邻;
在所述第一衬底上方并且在所述伪管芯和所述集成电路管芯周围形成密封剂;
平坦化所述密封剂、所述伪管芯和所述集成电路管芯,所述密封剂的最上表面与所述伪管芯的最上表面、所述第一环形结构的最上表面和所述集成电路管芯的最上表面齐平;以及,
去除所述第一环形结构,在去除所述第一环形结构之后,去除所述伪管芯的所述内部部分,所述伪管芯的剩余部分形成第二环形结构。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述伪管芯包括:
图案化第二衬底以在所述第二衬底中形成开口,所述开口在平面图中具有环形形状;以及
在所述开口中沉积绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,平坦化所述密封剂、所述伪管芯和所述集成电路管芯包括暴露所述绝缘材料。
4.根据权利要求2所述的方法,其中,去除所述伪管芯的内部部分包括:
去除所述绝缘材料,其中,在去除所述绝缘材料之后,将所述伪管芯分离成内部区和外围区;以及
从所述第一衬底拾取所述内部区,所述外围区形成所述第二环形结构。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,去除所述绝缘材料包括使用激光钻孔方法去除所述绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,使用粘合剂将所述伪管芯附接至所述第一衬底。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:
将功能组件放置在所述第二环形结构内;以及
将所述功能组件接合至所述第一衬底,其中,所述功能组件和所述第二环形结构具有不同的高度。
8.一种形成集成电路封装件的方法,包括:
将集成电路管芯附接至第一衬底的第一侧;
形成伪管芯,所述伪管芯包括位于所述伪管芯内的第一环形结构;
将所述伪管芯附接至所述第一衬底的第一侧,所述伪管芯与所述集成电路管芯相邻;
在所述第一衬底上方并且在所述伪管芯和所述集成电路管芯周围形成模塑料,所述模塑料的顶面与所述伪管芯的最上表面、所述第一环形结构的最上表面和所述集成电路管芯的最上表面齐平;
去除所述第一环形结构,在去除所述第一环形结构之后,所述伪管芯分离成内部区和外围环形区;
使所述伪管芯的内部区与所述第一衬底脱离,所述伪管芯的外围环形区形成第二环形结构;
将功能组件放置在所述第二环形结构内且在所述第一衬底的第一侧上;以及
将所述功能组件附接至所述第一衬底的第一侧。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,形成所述伪管芯包括:
图案化第二衬底以在所述第二衬底中形成开口,所述开口在平面图中具有环形形状;以及
在所述开口中沉积绝缘材料以形成所述第一环形结构。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,去除所述第一环形结构包括实施激光钻孔工艺。
11.根据权利要求8所述的方法,其中,使用粘合剂将所述伪管芯附接至所述第一衬底的第一侧。
12.根据权利要求8所述的方法,其中,所述功能组件和所述第二环形结构具有不同的高度。
13.根据权利要求8所述的方法,还包括:在所述第一衬底的第二侧上形成多个连接件,所述第一衬底的第二侧与所述第一衬底的第一侧相对。
14.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第一衬底包括中介片。
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