[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，具有弯折区和与弯折区相邻的像素区，所述像素区具有若干像素单元区和连接于所述像素单元区的非像素单元区；其特征在于，所述阵列基板包括柔性基板和阵列层，所述阵列层覆于所述柔性基板上；所述阵列层包括

阵列基层，具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽对应于所述像素区中的所述非像素单元区；所述第二凹槽对应于所述弯折区；

填充层，填充于所述第一凹槽和第二凹槽内；以及

有机介电层，覆于所述阵列基层与所述填充层上，所述有机介电层和所述填充层所用材料均为有机光阻材料。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二凹槽在所述阵列基层内形成台阶结构。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列层还包括

钝化层，覆于所述有机介电层上，且对应于所述像素区；

平坦层，覆于所述钝化层上以及所述有机介电层上；以及

像素限定层，覆于所述平坦层上。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，

所述钝化层的所用材料为氮化硅，厚度小于或等于3000埃米；

所述有机介电层的厚度为1um-1.8um，所述有机介电层的杨氏模量小于或等于5Gpa，所述有机介电层的耐热温度在350℃-500℃。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基层包括

阻挡层，覆于所述柔性基板上；

缓冲层，覆于所述阻挡层上；

第一栅绝缘层，覆于所述缓冲层上；以及

第二栅绝缘层，覆于所述第一栅绝缘层上；

所述有机介电层覆于所述第二栅绝缘层上；

在所述像素区，所述阵列层还包括

半导体层，设于所述缓冲层上，且所述第一栅绝缘层完全包覆所述半导体层；

第一栅极层，设于所述第一栅绝缘层上，且所述第二栅绝缘层完全包覆所述第一栅极层；

第二栅极层，设于所述第二栅绝缘层上，且所述有机介电层覆于所述第二栅极层上；

源漏极接触孔，从所述有机介电层贯穿至所述缓冲层的内部；

源极和漏极，覆于所述有机介电层上且分别通过对应的所述源漏极接触孔延伸并连接至所述半导体层；所述钝化层覆于所述源极和所述漏极上；

阳极接触孔，从所述平坦层贯穿所述钝化层并延伸至所述漏极的表面；

阳极走线，覆于所述平坦层上且通过所述阳极接触孔延伸并连接至所述漏极；

开槽，贯穿于整个所述像素限定层，且对应于所述阳极走线；以及

发光层，填充于所述开槽中；

在所述弯折区，所述阵列基板还设有

源漏极走线，覆于所述有机介电层上；所述平坦层覆于所述源漏极走线与所述有机介电层上。

6.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板具有弯折区和与弯折区相邻的像素区，所述像素区具有若干像素单元区和连接于所述像素单元区的非像素单元区；其特征在于，包括以下步骤：

S1)提供一柔性基板；

S2)在所述柔性基板上形成阵列基层；

S3)在所述阵列基层上形成第一凹槽和第二凹槽，其中所述第一凹槽对应于所述像素区中的所述非像素单元区；所述第二凹槽对应于所述弯折区；

S4)将有机光阻材料填充于所述第一凹槽和所述第二凹槽中形成填充层以及在所述填充层和所述阵列基层上继续涂覆所述有机光阻材料形成有机介电层。