[发明专利]一种太阳能电池及其组装工艺在审
申请号: | 201811476402.3 | 申请日: | 2018-12-03 |
公开(公告)号: | CN109378350A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 皇韶峰 | 申请(专利权)人: | 江苏中宇光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 高志军 |
地址: | 221699 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 太阳能电池 硅太阳能电池片 副栅线 主栅线 组装工艺 栅线电极 铟金属层 透明层 导电 绝缘 接触电阻 矩形板状 复合物 电镀 固接 保证 生产 | ||
本发明公开了一种太阳能电池及其组装工艺,包括一种太阳能电池,其中太阳能电池包括硅太阳能电池片和固定连接在硅太阳能电池片表面的栅线电极,所述栅线电极包括主栅线电极和副栅线电极,所述主栅线电极与副栅线电极的表面均电镀有铟金属层,所述铟金属层的厚度为15‑30微米,所述硅太阳能电池片为矩形板状接,且硅太阳能电池片除主栅线电极和副栅线电极外的表面上固接有绝缘透明层,所述绝缘透明层的厚度为2‑15微米。该一种太阳能电池及其组装工艺,既能降低银材质的主栅线电极和副栅线电极的氧化速度,使保证导电的效率的同时提高了太阳能电池的生产安装质量,又能够降低了复合物的接触电阻,提高导电的效率。
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池及其组装工艺。
背景技术
太阳能电池是一种基于光生伏特效应而将太阳能直接转化为电能的器件,是一个半导体光电二极管,当太阳光照到光电二极管上时,光电二极管就会把太阳的光能转化为电能,产生电流。当许多个电池串联或并联起来就可以成为有比较大的输出功率的太阳能电池方阵了。太阳能电池可以大中小并举,大到百万千瓦的中型电站,小到只供一户用的太阳能电池组,组合方式灵活,这是其它电源无法比拟的。
太阳能电池一般包括硅太阳能电池片和栅线电极,而栅线电极主要是由银电镀而成,在太阳能电池的整体安装或者使用的过程中,由于银材质的栅线电极与空气的接触,从而导致了栅线电极的氧化,使表面覆盖一种淡黄色或黑色的物质,影响了栅线电极的导电效率,更严重的是安装过程中降低了生产的质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池及其组装工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种太阳能电池,包括硅太阳能电池片和固定连接在硅太阳能电池片表面的栅线电极,所述栅线电极包括主栅线电极和副栅线电极,所述主栅线电极与副栅线电极的表面均电镀有铟金属层,所述铟金属层的厚度为15-30微米。
优选的,所述硅太阳能电池片为矩形板状接,且硅太阳能电池片除主栅线电极和副栅线电极外的表面上固接有绝缘透明层,所述绝缘透明层的厚度为2-15微米。
优选的,所述主栅线电极和副栅线电极分别设在硅太阳能电池片的上下两表面上,且主栅线电极和副栅线电极均为长方条形状,其覆盖在主栅线电极和副栅线电极表面的铟金属层也为长方条结构。
优选的,所述主栅线电极在硅太阳能电池片的上下表面均镜像设置有两组,所述副栅线电极在硅太阳能电池片的上下表面均匀间隔设置有多组,且多组所述副栅线电极与主栅线电极在硅太阳能电池片的一侧面垂直交错连通。
优选的,所述绝缘透明层为硅胶层或绝缘高分子材料膜层。
一种太阳能电池及其组装工艺,包括以下步骤:
S1,装模,在硅太阳能电池片的上表面上压装一组与所需主栅线电极和副栅线电极相适配的栅格模架,并使该栅格模架的底面紧贴电池片表面;
S2,涂布,在栅格模架外侧的硅太阳能电池片上表面上和四侧面涂覆绝缘透明材料,并保证绝缘透明材料涂覆的均匀;
S3,拆模,拆除栅格模架,使硅太阳能电池片的上表面形成除绝缘透明材料覆盖的栅格线路;
S4,烘干,对硅太阳能电池片上表面和侧面进行烘干处理,使绝缘透明层与硅太阳能电池片固接结在一起;
S5,初步电镀,采用电镀法在栅格线路上镀上作为主栅线电极和副栅线电极的导电材料,形成太阳能电池栅线电极,且该栅线电极底端面与硅太阳能电池片的上表面紧挨设置;
S6,再次电镀,在主栅线电极和副栅线电极上采用电镀法再次电镀上一层铟金属层,使铟金属层覆盖主栅线电极和副栅线电机,且铟金属层的两侧底端设在绝缘透明层上;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的