[发明专利]消光填料的制备方法以及消光填料

权利要求书

1.一种消光填料的制备方法，所述的消光填料为由金属化合物与非金属化合物所组成的混合物，其中所述的非金属化合物中至少包含二氧化硅成分，其特征在于，依据以下方法制备填料，

步骤一，将混合物升温至1300-1500℃后冷却获取颗粒物；

步骤二，将经过步骤一所获取的颗粒物进行研磨和粒径筛选获取粉末状物料；

步骤三，将含有氟代烷基的硅烷溶于稀释溶剂中，加入冰醋酸搅拌混合至澄清溶液；

步骤四，将经过步骤二所获取的粉末加入水中获取悬浊液并将悬浊液温度控制在35-45℃温度范围内，将步骤三中所获取的溶液加入悬浊液中，而后调整混合溶液的PH值为3～4；

步骤五，向经过步骤四所获取的混合溶液中加入含有烷基的硅烷后在55-65℃下搅拌，过滤；

步骤六，将经过步骤五所获取的混合溶液在100-130℃下干燥获取填料。

2.根据权利要求1所述的一种消光填料的制备方法，其特征在于，所述的粉末状物料粒径的中位粒径D50为11.5～39.5μm，最大粒径D99为31.0～58.0μm。

3.根据权利要求1或者2所述的一种消光填料的制备方法，其特征在于，以质量计所述的含有氟代烷基的硅烷与含有烷基的硅烷的比值范围为10:1～50:1。

4.根据权利要求1或者2或者3所述的一种消光填料的制备方法，其特征在于，所述的含有氟代烷基的硅烷中氟代烷基是直链或者支链氟化烷基中的一种或者组合；所述的含有烷基的硅烷中烷基是直链、支链或者环烷基中的一种或者组合。

5.根据权利要求4所述的一种消光填料的制备方法，其特征在于，所述的氟代烷基的硅烷的结构通式为：

Y(CH₂)_nSiX₃

其中Y是直链或支链碳原子数为1～12的氟代烷基；n为1～5的整数数值；X为烷氧基或卤素。

6.根据权利要求4所述的一种消光填料，其特征在于，所述的含有氟代烷基的硅烷为1H,1H,2H,2H-全氟癸基三乙氧基硅烷，其化学结构式为：

或者所述的含有氟代烷基的硅烷为1H,1H,2H,2H-全氟癸基三甲氧基硅烷，化学结构式为：

或者所述的含有氟代烷基的硅烷为1H,1H,2H,2H-全氟辛基三乙氧基硅烷，化学结构式为：

或者所述的含有氟代烷基的硅烷为1H,1H,2H,2H-全氟辛基三甲氧基硅烷，化学结构式为：

或者所述的含有氟代烷基的硅烷为1H,1H,2H,2H-全氟辛基三氯硅烷，化学结构式如下：

中的一种或者多种的组合。

7.根据权利要求4所述的一种消光填料的制备方法，其特征在于，所述的烷基硅烷的结构通式为：

CH₃(CH₂)_nSiX₃

其中n是1～20的整数数值；X为烷氧基或卤素。

8.根据权利要求4所述的一种消光填料的制备方法，其特征在于，所述含有烷基的硅烷为正十二烷基三甲氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、正十六烷基三甲氧基硅烷、正己基三乙氧基硅烷、正辛基三甲氧基硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、正丙基三氯硅烷、乙基三氯硅烷中的一种或者多种的组合。