[发明专利]半导体刻蚀工艺真空腔体设备及刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811476940.2 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109616405A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 江新泽;胡旭峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空腔体 半导体刻蚀工艺 光刻胶剥离 波长光谱 刻蚀工艺 光刻胶 刻蚀 预设 光谱信号采集 半导体生产 光刻胶残留 器件结构 器件性能 设备停止 预设规则 过刻蚀 半导体 剥离 采集 | ||
1.一种半导体刻蚀工艺真空腔体设备，用于半导体生产中的光刻胶剥离，其特征在于：所述刻蚀工艺真空腔体设备的光谱信号采集装置采集预设波长光谱信号，当所述预设波长光谱信号符合预设规则刻蚀工艺真空腔体设备停止光刻胶剥离。
2.如权利要求1所述的半导体刻蚀工艺真空腔体设备，其特征在于：所述预设波长为390nm。
3.如权利要求1所述的半导体刻蚀工艺真空腔体设备，其特征在于：所述预设波长光谱信号是CN等离子辉光信号。
4.如权利要求1所述的半导体刻蚀工艺真空腔体设备，其特征在于：所述预设规则是F(a)变化率为100％停止光刻胶剥离，F(a)＝slope(CN)2+100。
5.如权利要求1-4任意一项所述的半导体刻蚀工艺真空腔体设备，其特征在于：光刻胶剥离完成后，所述半导体刻蚀工艺真空腔体设备继续执行预设时间的过刻蚀。
6.如权利要求5所述的半导体刻蚀工艺真空腔体设备，其特征在于：所述预设时间是半导体刻蚀工艺真空腔体设备执行光刻胶剥离所需时间的10％-100％。
7.一种半导体刻蚀方法，用于半导体生产中的光刻胶剥离，其特征在于，包括以下步骤：
1)进行光刻胶剥离前，采集预设波长光谱信号；
2)当所述预设波长光谱信号符合预设规则刻蚀工艺真空腔体设备停止光刻胶剥离。
8.如权利要求7所述的半导体刻蚀方法，其特征在于：所述预设波长为390nm。
9.如权利要求7所述的半导体刻蚀方法，其特征在于：所述预设波长光谱信号是CN等离子辉光信号。
10.如权利要求7所述的半导体刻蚀方法，其特征在于：所述预设规则是F(a)变化率为100％停止光刻胶剥离，F(a)＝slope(CN)2+100。
11.如权利要求7-10所述的半导体刻蚀方法，其特征在于：还包括步骤3)光刻胶剥离完成后，继续执行预设时间的过刻蚀。
12.如权利要求11所述的半导体刻蚀工艺真空腔体设备，其特征在于：步骤3)中所述预设时间是半执行光刻胶剥离所需时间的10％-100％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
