[发明专利]一种微米级氧化钴立方体的制备方法在审
| 申请号： | 201811477445.3 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109695042A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张瑞;任铁真;李拥军;岑向超;刘晓燕;闫升;石双;马飞龙 | 申请（专利权）人： | 宁夏宝塔化工中心实验室（有限公司） |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 750002 宁夏回族自治*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化钴 微米级 制备 沉积 烘箱 次亚磷酸钠 低共熔溶剂 恒电位沉积 三电极体系 磁力搅拌 反复清洗 晶体颗粒 均一溶液 氯化胆碱 生长机理 晶体的 乙二醇 钴源 配置 研究 | ||
1.一种微米级氧化钴立方体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）按摩尔比2:1称取一定质量的氯化胆碱和乙二醇，在80-100℃的烘箱中加热，形成均一透明的混合溶液；
（2）按一定比例加入磷源和钴源，常温磁力搅拌直至形成均一溶液；
（3）以上述溶液为电解液，以泡沫镍为载体，三电极体系以恒电位-1.4V沉积3h；
（4）沉积结束后将负载有样品的基底用去离子水反复洗涤，于60℃烘箱中干燥12h，得到微米级氧化钴立方体。
2.如权利要求1所述的一种微米级氧化钴立方体的制备方法，其特征在于，所述的步骤（1）制备的电解液为低共熔溶剂体系。
3.如权利要求1所述的一种微米级氧化钴立方体的制备方法，其特征在于，所述的步骤（2）中的磷源和钴源分别为一水合次亚磷酸钠和六水合氯化钴，硝酸盐，醋酸盐等可溶性盐。
4.如权利要求1所述的一种微米级氧化钴立方体的制备方法，其特征在于，所述的微米级氧化钴的粒径大于等于3μm。
5.如权利要求1所述的一种微米级氧化钴立方体的制备方法，其特征在于，所述的微米级氧化钴的形貌为立方体。
6.如权利要求1所述的一种微米级氧化钴立方体的制备方法，其特征在于，所述的三电极体系恒电位沉积，Ag/AgCl和Pt丝分别为参比电极和对电极，载体为泡沫镍和钛箔，沉积电压范围为-1.4V-1.7V。
7.如权利要求1所述的一种微米级氧化钴立方体的制备方法，其特征在于，所述的沉积时间为5~180min。
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