[发明专利]一种基于一次曝光圆台状微坑阵列芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201811477477.3 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111269832A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 秦建华;邓鹏伟;姜雷;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C12M3/00 | 分类号： | C12M3/00 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 一次 曝光 圆台 状微坑 阵列 芯片 制备 方法 | ||
1.一种基于一次曝光圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：该制备方法具体步骤如下：
步骤一、将加热后的光刻胶基底(3)置于可旋转平台(4)上；
步骤二、调节平台支撑(5)的倾斜度；
步骤三、曝光模板的选择；
步骤四、可旋转平台(4)匀速旋转，竖直平行光源曝光；
步骤五、显影得到圆台状微坑阵列芯片模板；
步骤六、未固化的PDMS倒在上述步骤五的圆台状微坑阵列芯片模板上，除泡、高温固化；
步骤七：将上述步骤六中的PDMS剖离，得到圆台状微坑阵列芯片。
2.根据权利要求1所述的圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述光刻胶基底(3)材质为玻璃或者硅片。
3.根据权利要求1所述的圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤一中光刻胶基底(3)表面光刻胶厚度为：100～800微米。
4.根据权利要求1所述的圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤一中光刻胶基底(3)的加热温度为95℃，加热时间为0.5～5h。
5.根据权利要求1所述的圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤二中平台支撑(5)倾斜度的调节范围为：20°～60°。
6.根据权利要求1所述的圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤三中曝光模板上印有圆孔阵列的菲林板。
7.根据权利要求1所述的圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤四中旋转平台(4)旋转速度为2°/s～20°/s，旋转圈数1～3圈，曝光时间为20s-2min。
8.根据权利要求1所述的圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤五中利用乳酸乙酯显影，180℃烘箱中加热2h，自然冷却降温。
9.根据权利要求1所述的圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤五中引发剂与未固化的PDMS中单体的比例为1：8～10，固化温度80℃～120℃，固化时间0.5～1h。
10.根据权利要求1所述的圆台状微坑阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述圆台状微坑阵列芯片的最终小坑为圆台状，底部面积小于顶部面积。
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