[发明专利]一种超结器件结构、器件及制备方法

权利要求书

1.一种超结器件结构，其特征在于，包括：衬底、 第一掺杂类型柱区、第二掺杂类型柱区、第一栅极、第二栅极、第一引流区以及第二引流区；所述第一掺杂类型柱区、所述第二掺杂类型柱区均设置在所述衬底上方，所述第二掺杂类型柱区位于两个所述第一掺杂类型柱区之间，所述第一栅极和所述第二栅极隔离，且分别设置在两个所述第一掺杂类型柱区的基区上方，所述第二掺杂类型柱区的顶端设置有用于引导电荷流向的第一引流区；两个所述第一掺杂类型柱区的基区下方均设置有所述第二引流区；每个所述第二引流区的宽度均大于对应的所述第一栅极或所述第二栅极的宽度。

2.根据权利要求1所述的超结器件结构，其特征在于，所述第一掺杂类型柱区为P型掺杂，所述第一引流区为P型区。

3.根据权利要求1所述的超结器件结构，其特征在于，所述第一掺杂类型柱区为N型掺杂，所述第一引流区为N型区。

4.根据权利要求1所述的超结器件结构，其特征在于，所述第一引流区为沟槽式的肖特基接触。

5.根据权利要求1所述的超结器件结构，其特征在于，两个所述第二引流区向相互靠近的方向延伸。

6.根据权利要求1所述的超结器件结构，其特征在于，包括缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底与所述第一掺杂类型柱区与所述第二掺杂类型柱区之间。

7.一种超结器件，其特征在于，包括：两个以上的如权利要求1-6任一所述的超结器件结构，多个所述超结器件结构排列成排，每个超结器件结构的第一掺杂类型柱区与其相邻的超结器件结构的第一掺杂类型柱区相接。

8.一种超结器件结构的制备方法，其特征在于，用于制造权利要求1-6中任一项所述的超结器件结构，对一完整的栅极的中间位置进行刻蚀，将所述栅极分割为第一栅极与第二栅极。