[发明专利]一种促进瓜叶菊生长的培养基质及培养方法

权利要求书

1.一种促进瓜叶菊生长的培养基质，其特征在于：所述培养基质由发芽基质及育苗基质组成；所述发芽基质由珍珠岩、牛粪发酵腐熟物、腐植酸水溶液组成；所述育苗基质由牛粪发酵腐熟物、秸秆、生物炭、活化腐植酸、草炭土、蛭石组成；其中，发芽基质中珍珠岩、牛粪发酵腐熟物、腐植酸水溶液的体积比为3∶1∶0.1，腐植酸水溶液中腐植酸的含量为6％，所述育苗基质中牛粪发酵腐熟物、秸秆、生物炭、活化腐植酸、草炭土、蛭石的体积比为2∶8-10∶1∶1∶4∶2。

2.一种促进瓜叶菊生长的培养方法，其特征在于该培养方法包括如下步骤：

A：育苗；将珍珠岩与牛粪发酵腐熟物以3∶1的体积比混合均匀，平铺于育苗容器中，然后将6％腐植酸水溶液稀释100倍后均匀喷洒在所述混合物上100ml，而后均匀撒入瓜叶菊种子，覆盖保鲜膜后的育苗10-15天，适时揭膜透气，得幼苗；

B：栽培；将牛粪发酵腐熟物、秸秆混合为初始物料，并利用多功能复合微生物菌剂进行发酵，得腐熟有机物，然后将腐熟有机物与生物炭、活化腐植酸、草炭土、蛭石按照体积比为10∶1∶1∶4∶2混合均匀，得育苗基质，而后将步骤A中培育的幼苗移栽至育苗基质中，完成栽培。

3.根据权利要求2所述的一种促进瓜叶菊生长的培养方法，其特征在于：所述步骤A中，所述育苗容器为密集小孔的平盘，其上平铺一层报纸，然后将珍珠岩与牛粪发酵腐熟物以体积比3∶1混合，平铺厚度为1-2cm，将浓度为6％腐植酸水溶液稀释100倍取100ml喷洒育苗基质，育苗容器下方置一托盘，采用虹吸式原理，使得育苗基质吸水；再将瓜叶菊种子撒入，并抚平，最后覆膜，放置在具有光照的条件下进行培养，每隔2天打开膜，通风换气并喷雾，增加湿度，待10-15天，得幼苗。

4.根据权利要求2所述的一种促进瓜叶菊生长的培养方法，其特征在于：所述步骤B中，制备育苗基质的详细步骤为，首先将牛粪发酵腐熟物、秸秆按照体积比为1∶4-5混合均匀，并通过水调制为含水量为50％、C/N比为25-30∶1的初始物料，然后添加0.1％多功能复合微生物菌剂进行发酵，其发酵过程中根据温度变化适时翻抛，直至持续一段高温期后，温度开始下降，堆肥腐熟时间为20-30天；而后将堆制腐熟的物料静态放置，进行二次发酵后，再将腐熟有机物料与生物炭、活化腐植酸、草炭土、蛭石以10∶1∶1∶4∶2的体积比进行充分混合，得育苗基质。

5.根据权利要求4所述的一种促进瓜叶菊生长的培养方法，其特征在于：所述步骤B中的多功能复合微生物菌剂为解淀粉芽孢杆菌、酿酒酵母、枯草芽孢杆菌、解磷解钾菌中的至少一种。

6.根据权利要求2所述的一种促进瓜叶菊生长的及培养方法，其特征在于：所述步骤B中，将步骤A中培育的幼苗移栽至育苗基质中的具体步骤为：先将育苗基质填充到育苗钵中并压实，采用虹吸原理浸润育苗基质，而后用小木棍在育苗钵上打孔，最后将步骤A中得到的幼苗移栽入育苗钵中孔中即可。

7.根据权利要求2所述的一种促进瓜叶菊生长的及培养方法，其特征在于，所述步骤B中的栽培步骤为：将步骤A中得到的幼苗直接种于海绵中进行水培。