[发明专利]操作存储器的方法及存储器

说明书

本申请案涉及操作存储器的方法及一种存储器。操作存储器的方法包含：将所述存储器的数据线的电压电平与电源的电压电平同时放电；监测晶体管的控制栅极的电压电平与所述数据线的电压电平之间的电压差的表示，所述晶体管连接在所述数据线与所述电源之间；如果所述电压差被认为大于第一值，那么激活所述晶体管的所述控制栅极与所述电源之间的电流路径，且如果所述电压差被认为小于第二值，那么撤销激活所述电流路径。经配置以执行这些方法的存储器包含：比较器，其经配置以监测电容性地耦合到所述数据线及所述晶体管的所述控制栅极的电压节点，所述晶体管连接在所述数据线与所述电源之间；及电流路径，其将所述晶体管的所述控制栅极选择性地连接到所述电源。

相关申请案

本申请案主张2017年12月28日提出申请且标题为“对控制栅极电压放电的控制(CONTROLLING DISCHARGE OF A CONTROL GATE VOLTAGE)”的美国临时专利申请案第62/610,972号的权益，所述美国临时专利申请案是共同转让的且以其全文引用方式并入本文中。

技术领域

本发明大体来说涉及存储器，且具体来说在一或多个实施例中，本发明涉及操作存储器以(例如)在擦除操作期间或在擦除操作之后对控制栅极电压的放电进行控制的方法。

背景技术

集成电路装置用于各种各样的电子装置中。一种特定类型包含存储器装置，通常简称为存储器。存储器装置通常被设置为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。

快闪存储器装置已发展成用于各种各样的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪存储器通常使用单晶体管存储器单元，这允许达成高存储器密度、高可靠性及低电力消耗。在对数据存储结构(例如，浮动栅极或电荷陷阱)进行编程(其通常被称为写入)的过程中存储器单元阈值电压(Vt)的改变或者其它物理现象(例如，相变或极化)能确定每一存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见用途包含：个人计算机、个人数字助理(PDA)、数字相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、交通工具、无线装置、蜂窝式电话及可抽换式存储器模块，且非易失性存储器的用途不断扩展。

NAND快闪存储器是一种常见的快闪存储器装置类型，其得名于对基本存储器单元配置进行布置的逻辑形式。通常，NAND快闪存储器的存储器单元阵列经布置使得阵列的一行中的每一存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线，例如字线。阵列中的列包含在一对选择门(例如，源极选择晶体管及漏极选择晶体管)之间串联连接在一起的若干串(通常称为NAND串)存储器单元。每一源极选择晶体管可连接到公共源极，而每一漏极选择晶体管可连接到数据线，例如列位线。在一串存储器单元与公共源极之间及/或在所述一串存储器单元与数据线之间使用多于一个选择门的差异是已知的。

在对存储器进行编程时，存储器单元可通常被编程为称为单电平单元(SLC)或多电平单元(MLC)的单元。SLC可使用单个存储器单元来表示数据的一个数字(例如，位)。举例来说，在SLC中，2.5V的Vt可指示经编程存储器单元(例如，表示逻辑0)，而-0.5V的Vt可指示经擦除单元(例如，表示逻辑1)。MLC使用两个以上Vt范围，其中每一Vt范围指示不同的数据状态。多电平单元可通过将位型式分配给特定Vt范围来利用传统电荷存储单元的模拟性质。虽然MLC通常使用存储器单元来表示数据状态的二进制数(例如，4、8、16…)的一种数据状态，但用作MLC的存储器单元也可用于表示数据状态的非二进制数。举例来说，在MLC使用三个Vt范围的情况下，两个存储器单元可用于共同表示八种数据状态中的一者。