[发明专利]一种抗电压波动的延时开关电路在审

专利信息
申请号: 201811478942.5 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN109245749A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 李汝虎;席德权;蔡舒宏 申请(专利权)人: 博为科技有限公司
主分类号: H03K17/284 分类号: H03K17/284;H03K17/687
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 刘杰
地址: 314006 浙江省嘉*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电阻 延时开关电路 抗电压波动 输出接口 输入接口 电容 第一端 电子技术领域 接地 发射极 集电极 可调谐 延时短 并联 漏极 源极
【权利要求书】:

1.一种抗电压波动的延时开关电路,其特征在于,包括:输入接口Vin+、输入接口Vin-、输出接口Vout+、输出接口Vout-、缓启动驱动电路以及缓启动电路;

所述缓启动驱动电路包括:电阻R3、电容C2、电阻R5以及NPN三极管Q2;

所述电阻R3的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电阻R3的第二端通过所述电容C2与所述输入接口Vin-相连,所述电阻R3的第二端通过所述电阻R5与所述NPN三极管Q2的基极相连,所述NPN三极管Q2的发射极与所述输入接口Vin-相连;

所述缓启动电路包括:电容C3、电阻R6、电阻R7以及P-MOS管MQ1;

所述电容C3的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电容C3的第二端通过所述电阻R7与所述NPN三极管Q2的集电极相连,所述电阻R6与所述电容C3并联,所述P-MOS管MQ1的栅极与所述电容C3的第二端相连,所述P-MOS管MQ1的源极与所述输入接口Vin+相连,所述P-MOS管MQ1的漏极与所述输出接口Vout+相连;

所述输入接口Vin-与所述输出接口Vout-接地。

2.如权利要求1所述的抗电压波动的延时开关电路,其特征在于,所述开关电路还包括:泄放电路;

所述泄放电路包括:电容C1、电阻R1、NPN三极管以及电阻R4;

所述电容C1的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电容C1的第二端通过所述电阻R2与所述输入接口Vin-相连,所述电容C1的第二端通过所述电阻R2与所述NPN三极管的基极相连,所述NPN三极管的集电极通过电阻R4与所述电阻R3的第二端相连,所述NPN三极管的发射极接地。

3.如权利要求1所述的抗电压波动的延时开关电路,其特征在于,所述开关电路还包括:电容C4;

所述电容C4的第一端与所述输出接口Vout+相连,所述电容C4的第二端与所述输出接口Vout-相连。

4.一种抗电压波动的延时开关电路,其特征在于,包括:输入接口Vin+、输入接口Vin-、输出接口Vout+、输出接口Vout-、缓启动驱动电路以及缓启动电路;

所述缓启动驱动电路包括:电阻R33、电容C22、电阻R55、电阻R77以及NPN三极管Q22;

所述电阻R33的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电阻R33的第二端通过所述电容C22与所述输入接口Vin-相连,所述电阻R33的第二端通过所述电阻R55与所述NPN三极管Q2的基极相连,所述NPN三极管Q2的集电极通过所述电阻R77与所述输入接口Vin+相连;

所述缓启动电路包括:电容C33、电阻R66以及N-MOS管MQ11;

所述电容C33的第一端与所述输入接口Vin-相连,所述电容C33的第二端与所述NPN三极管Q2的射电极相连,所述电阻R66与所述电容C3并联,所述N-MOS管MQ11的栅极与所述电容C3的第二端相连,所述N-MOS管MQ11的源极与所述输入接口Vin-相连,所述N-MOS管MQ11的漏极与所述输出接口Vout-相连;

所述输入接口Vin-与所述输出接口Vout-接地,所述输入接口Vin+与所述输出接口Vout+相连。

5.如权利要求4所述的抗电压波动的延时开关电路,其特征在于,所述开关电路还包括:泄放电路;

所述泄放电路包括:电容C11、电阻R11、NPN三极管以及电阻R44;

所述电容C11的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电容C11的第二端通过所述电阻R22与所述输入接口Vin-相连,所述电容C11的第二端通过所述电阻R22与所述NPN三极管的基极相连,所述NPN三极管的集电极通过电阻R44与所述电阻R33的第二端相连,所述NPN三极管的发射极接地。

6.如权利要求4所述的抗电压波动的延时开关电路,其特征在于,所述开关电路还包括:电容C44;

所述电容C44的第一端与所述输出接口Vout+相连,所述电容C4的第二端与所述输出接口Vout-相连。

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