[发明专利]扇出型晶圆级封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种扇出型晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供支撑晶片层，于所述支撑晶片层上形成粘合剂层；

将多个裸片粘合至所述粘合剂层表面，所述裸片具有接脚，所述接脚面对所述粘合剂层表面；

于所述粘合剂层和所述裸片远离所述支撑晶片层的一侧形成预固化层，所述预固化层覆盖所述裸片；

于所述预固化层远离所述支撑晶片层的一侧形成固化层；

去除所述支撑晶片层和所述粘合剂层，暴露出所述裸片的所述接脚；

于暴露出所述裸片的所述接脚的一侧表面形成重布线层，并于所述重布线层上形成球形接脚；

打磨所述固化层至预定厚度；

切割，形成所述扇出型晶圆级封装结构；

其中，所述固化层与所述预固化层具有不同的热膨胀系数，且所述固化层与所述裸片具有相同的热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，形成所述预固化层的步骤包括：

在100～120℃下，将所述预固化层贴覆至所述粘合剂层和所述裸片远离所述支撑晶片层的一侧，贴覆时间是1min；

贴覆之后，在100～120℃下，预固化0.5～1.5h。

3.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，于预固化层远离所述支撑晶片层的一侧形成固化层的温度在150～200℃之间，时间是1～3h。

4.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，所述预固化层的厚度是200～250μm，所述固化层的所述预定厚度是200～400μm。

5.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，所述预固化层是环氧塑封料，所述固化层是硅晶片。

6.一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

裸片，所述裸片具有接脚；

预固化层，所述预固化层覆盖并包覆所述裸片，并且所述裸片的所述接脚一侧暴露出所述预固化层表面；

重布线层，所述重布线层形成于所述裸片的接脚暴露出的一侧，所述重布线层包括钝化层和金属层；

多个球形接脚，形成于所述重布线层上，所述球形接脚通过所述金属层与所述裸片的所述接脚电连接；以及

固化层，所述固化层形成于预固化层远离所述重布线层的一侧，所述固化层覆盖所述预固化层；

所述固化层与所述预固化层具有不同的热膨胀系数，且所述固化层与所述裸片具有相同的热膨胀系数。

7.根据权利要求6所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述预固化层是环氧塑封料，所述固化层是硅晶片。

8.根据权利要求6所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述预固化层的厚度是200～250μm。

9.根据权利要求6所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述固化层的厚度是200～400μm。

10.根据权利要求6所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述裸片是动态随机存储存储器。