[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811479285.6 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109346419B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 马敬;金子貴昭;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成金属氧化物层；
形成所述金属氧化物层之后，在所述金属氧化物层上形成绝缘层；
刻蚀所述绝缘层、金属氧化物层及所述基底，形成沟槽；
在所述绝缘层上形成金属层，所述金属层填充满所述沟槽；
之后，采用化学机械抛光法抛光所述金属氧化物层表面的所述金属层及所述绝缘层至露出所述金属氧化物层；
去除所述金属氧化物层，形成金属凸块，所述金属凸块边缘的高度高于所述基底表面。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度由所述金属凸块需要露出所述基底的高度决定。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度为
4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物层的材料为氧化锌或氧化铝。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成金属氧化物层的方法为化学气相沉积法。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除所述金属氧化物层的方法为湿法刻蚀法。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用的刻蚀溶液为盐酸溶液，其质量百分浓度为3％～10％。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层的材料为铜。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用化学机械抛光去除所述金属层，抛光速率为
10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，化学机械抛光去除所述绝缘层的速率为
11.一种采用所述权利要求1～10中任一制造方法形成的半导体器件，其特征在于，包括：基底；金属凸块，所述金属凸块边缘的高度高于所述基底表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811479285.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路壳体
- 下一篇：一种检测大马士革结构导电性的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
