[发明专利]具有PD偏置图案的图像传感器在审
申请号: | 201811479489.X | 申请日: | 2018-12-05 |
公开(公告)号: | CN110299371A | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 吴先镐 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏置 图案 光敏区域 导电 图像传感器 像素隔离 图案间隔 入射光 基板 光电子 响应 配置 | ||
1.一种图像传感器,该图像传感器包括:
光敏区域,所述光敏区域位于基板中并且被配置为响应于所述光敏区域上的入射光而产生光电子;
导电偏置图案,所述导电偏置图案被设置为彼此间隔开并且围绕所述光敏区域;以及
像素隔离图案,所述像素隔离图案与所述导电偏置图案间隔开并且被设置在所述导电偏置图案的周边。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述导电偏置图案包括分别设置在像素单元的第一象限至第四象限上的四个导电图案,并且在俯视图中具有肘形状。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述导电偏置图案包括:
衬里绝缘层,所述衬里绝缘层被形成在所述基板中所形成的沟槽的内壁上;以及
导体,所述导体在所述衬里绝缘层上方填充所述沟槽。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述导电偏置图案中的每一个包括被施加电压的焊盘区域。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述像素隔离图案被形成为从所述基板的底表面朝向所述基板的上表面延伸的分隔壁的形状。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述像素隔离图案包括在俯视图中彼此正交的垂直线和水平线,并且所述像素隔离图案以所述垂直线和所述水平线连接的网格形式设置。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,该图像传感器还包括:
浮置扩散区域,所述浮置扩散区域被设置在所述光敏区域的中心;
浮置扩散隔离区域,所述浮置扩散隔离区域被配置为围绕所述浮置扩散区域;以及
传输门,所述传输门与所述浮置扩散区域的部分和所述浮置扩散隔离区域的部分在垂直方向交叠,并且被构造成能操作以将所述光敏区域中产生的光电子传输到所述光敏区域之外。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,该图像传感器还包括:
栅格图案,所述栅格图案与所述光敏区域的中心部分和所述像素隔离图案在垂直方向交叠,并且在由所述像素隔离图案提供的单位像素中提供单元空间。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,该图像传感器还包括:
快门图案,所述快门图案被设置为分别与所述导电偏置图案对应;以及
滤色器,所述滤色器分别被设置在所述快门图案上方,
其中,所述快门图案和所述滤色器分别被设置在所述单元空间中。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述快门图案被打开或关闭以透射光。
11.一种图像传感器,该图像传感器包括:
多个单位像素,所述多个单位像素按行和列来设置,
其中,所述多个单位像素中的每一个包括:
单个光电二极管区域,所述单个光电二极管区域形成在基板中;
第一光电二极管PD偏置图案至第四PD偏置图案,该第一PD偏置图案至所述第四PD偏置图案在所述基板中形成为彼此间隔开,所述第一PD偏置图案至所述第四PD偏置图案被设置在对应像素单元的虚拟的第一象限至第四象限上以围绕所述单个光电二极管区域并且包含导电材料;以及
栅格图案,所述栅格图案形成在所述基板的第一侧上,以将所述单个光电二极管区域划分为所述虚拟的第一象限至第四象限上的第一单元空间至第四单元空间,所述栅格图案具有包括水平部和垂直部的网格形状。
12.根据权利要求11所述的图像传感器,该图像传感器还包括:
像素隔离图案,所述像素隔离图案形成在所述基板中以及所述单位像素之间的空间中,所述像素隔离图案围绕所述单个光电二极管区域。
13.根据权利要求12所述的图像传感器,其中,所述像素隔离图案被形成为从所述基板的第一侧延伸到所述基板的内部的分隔壁的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的