[发明专利]一种晶片刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811480465.6 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109585281A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 丁佳;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 反应副产物 种晶 设备维护成本 影响产品品质 刻蚀聚合物 二极管 产品品质 光刻胶层 刻蚀过程 清洁周期 清洁状态 质量产生 工作腔 光刻胶 深宽比 氧化层 阻挡层 清晰 掉落 晶片 内壁 无光 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片刻蚀方法，其特征在于，按以下步骤进行操作：
1）、氧化：在Si表面氧化形成氧化层；
2）、涂胶：在氧化层表面涂上光刻胶；
3）、光刻：先在光刻胶上方覆盖光刻板，再进行光刻，从而按光刻板上的预图案形成光刻胶层；
4）、湿法腐蚀：沿光刻胶层中的缝隙对氧化层进行湿法腐蚀，形成接触孔；
5）、去胶：通过H2SO4、H2O2将氧化层表面的光刻胶去除；
6）、刻蚀：通过HBR、Cl2对Si进行刻蚀；完毕。
2.根据权利要求1所述的一种晶片刻蚀方法，其特征在于，步骤5）中H2SO4、H2O2的体积比为4:1。
3.根据权利要求1所述的一种晶片刻蚀方法，其特征在于，步骤6）中HBR、Cl2的体积比为2:1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司，未经扬州扬杰电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811480465.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置的形成方法
- 下一篇：源漏极离子注入方法及注入系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
