[发明专利]载板结构及微型元件结构有效
申请号: | 201811481573.5 | 申请日: | 2018-12-05 |
公开(公告)号: | CN111276506B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 陈培欣;史诒君;陈奕静;刘应苍;李玉柱;张桓仆;林子旸;赖育弘 | 申请(专利权)人: | 錼创显示科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 板结 微型 元件 结构 | ||
本发明提供一种适于转置或承载多个微型元件的载板结构及微型元件结构,所述载板结构包括载板及多个转移单元。载板具有载板表面与位于载板表面的多个凹槽。多个转移单元分别设置于多个凹槽中,且暴露出转移面。每一微型元件具有元件表面。每一转移单元的转移面用以连接对应的微型元件的元件表面。
技术领域
本发明涉及一种载板结构及微型元件结构,尤其涉及一种适于转置(转移放置)或承载微型元件的载板结构及使用该载板结构的微型元件结构。
背景技术
近年来,在有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)显示面板的制造成本偏高及其使用寿命无法与现行的主流显示器相抗衡的情况下,微型发光二极管显示器(Micro LED Display)逐渐吸引各科技大厂的投资目光。微型发光二极管显示器具有与有机发光二极管显示技术相当的光学表现,例如高色彩饱和度、应答速度快及高对比,且具有低耗能及材料使用寿命长的优势。然而,以目前的技术而言,微型发光二极管显示器制造成本仍高于有机发光二极管显示器。主因在于微型发光二极管显示器的制造技术采用晶粒转置的方式将制作好的微型发光二极管晶粒直接转移到驱动电路背板上,虽然这样的巨量转移(Mass transfer)技术在大尺寸的产品制造上有其发展优势,但目前相关制程技术与设备都有瓶颈待突破。
目前的晶粒转置技术所使用的提取方式包括利用静电力(Electrostaticforce)、凡德瓦力(Van Der Waals force)、黏性材料等方式。其中静电力的方式需要使用较高的外加电压,因此电弧(Arcing)与介电击穿(Dielectric Breakdown)的风险较高。使用凡德瓦力的方式吸取晶粒,其晶粒的黏附力与脱附力取决于弹性体高分子印模接触晶粒的速率快慢,因此对于印模的作动必须有较精密的控制,转置的成功率并不高。采用黏性材料黏取晶粒的转移方式,具有黏着力不均匀、不稳定及对位精准度不佳的缺点。再者,晶粒通过支撑结构排列于转置载板上时,受限于支撑结构大多配置于晶粒的周围表面,而使晶粒无法密集的排列于转置载板上以有效率进行巨量转置。因此,如何解决上述的技术瓶颈并降低生产成本,是目前各科技厂所致力于解决的问题之一。
发明内容
本发明提供一种载板结构,承载性能佳。
本发明提供一种微型元件结构,微型元件的支撑力佳。
本发明的载板结构适于转置或承载多个微型元件。载板结构包括载板及多个转移单元。载板具有载板表面及位于载板表面的多个凹槽。多个转移单元分别设置于多个凹槽中且暴露出转移面。每一微型元件具有元件表面,且每一转移单元的转移面用以连接对应的微型元件的元件表面。
在本发明的一实施例中,上述的载板结构的转移面与载板表面切齐。
在本发明的一实施例中,上述的载板结构的转移面凸出载板表面。
在本发明的一实施例中,上述的载板结构的转移面凸出载板表面的高度与转移单元的高度的比值小于等于0.8。
在本发明的一实施例中,上述的载板结构的每一凹槽的间距与每一微型元件的宽度的比值小于等于0.5。
本发明的微型元件结构包括载板结构以及多个微型元件。载板结构包括载板及多个转移单元。载板具有载板表面及位于载板表面的多个凹槽。多个转移单元分别设置于多个凹槽中。每一微型元件具有元件表面。每一转移单元的转移面连接对应的微型元件的元件表面。
在本发明的一实施例中,上述的微型元件结构的转移面与载板表面切齐。
在本发明的一实施例中,上述的微型元件结构的转移面凸出载板表面。
在本发明的一实施例中,上述的微型元件结构的转移面凸出载板表面的高度与转移单元的高度的比值小于等于0.8。
在本发明的一实施例中,上述的微型元件结构的每一转移单元的杨氏模量小于载板的杨氏模量及对应的微型元件的杨氏模量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的