[发明专利]一种双层堆叠式差分微波带通滤波器有效

专利信息
申请号: 201811482168.5 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN109728390B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 刘晓贤;朱樟明;刘阳;卢启军;尹相坤;杨银堂 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01P1/208 分类号: H01P1/208
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 张捷
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 双层 堆叠 式差分 微波 带通滤波器
【说明书】:

发明涉及一种双层堆叠式差分微波带通滤波器,包括:第一金属层;若干第一导体柱,设置在第一金属层上;第二金属层,设置在第一导体柱上,第二金属层上设置有输入辐射窗口和输出辐射窗口;若干第二导体柱,设置在第二金属层上;第三金属层,设置在第二导体柱上,第三金属层上设置有差分输入端口和差分输出端口;其中,第一金属层、第一导体柱与第二金属层形成至少三个耦合谐振腔,每个耦合谐振腔之间设置有若干个耦合窗口;第二金属层、第二导体柱与第三金属层形成输入谐振腔与输出谐振腔。本发明实施例的滤波器显著抑制了共模信号的传输,同时使得滤波器的谐振频率提取得以显著提高,提高了滤波器的性能。

技术领域

本发明属于集成电路制造与封装技术领域,具体涉及一种双层堆叠式差分微波带通滤波器。

背景技术

近年来由于商业应用的驱动,毫米波无线通信得以迅猛的发展,绝大部分毫米波互连与无源器件都是波导形式,其损耗都较低。然而,波导结构的体积一般都较大,生产成本较高,并且与单片微波集成电路(MMICs)难于集成在一个系统上。后来出现的低温共烧陶瓷(LTCC)虽然在微波与毫米波频段内具有稳定的介电常数与较低的损耗,但其较厚的衬底与较大的体积也极大的限制了它的广泛应用。

三维集成技术是将传统的二维集成电路垂直堆叠起来,硅通孔作为三维集成电路中关键结构,用于实现三维集成电路上下层芯片间的信号传输,通过硅通孔实现层间垂直互连与封装,从而显著提高了集成度,同时减小了功耗,提高了系统性能。利用硅通孔三维集成技术,将基片集成波导(SIW)结构集成在三维系统中的芯片之上,使其能够与其他异构芯片实现三维集成,从而显著减小整个微波电路系统的体积。

但由于半导体硅衬底在高频条件下具有较大的损耗,阻碍了基片集成波导结构在三维集成中的广泛应用。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种双层堆叠式差分微波带通滤波器。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:

本发明实施例提供了一种双层堆叠式差分微波带通滤波器,包括:

第一金属层;

若干第一导体柱,设置在所述第一金属层上;

第二金属层,设置在所述第一导体柱上,所述第二金属层上设置有输入辐射窗口和输出辐射窗口;

若干第二导体柱,设置在所述第二金属层上;

第三金属层,设置在所述第二导体柱上,所述第三金属层上设置有差分输入端口和差分输出端口;其中,

所述第一金属层、所述第一导体柱与所述第二金属层形成至少三个耦合谐振腔,每个所述耦合谐振腔之间设置有若干个耦合窗口;

所述第二金属层、所述第二导体柱与所述第三金属层形成输入谐振腔与输出谐振腔。

在本发明的一个实施例中,还包括:

第一绝缘基板,设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间,所述第一绝缘基板上设置有若干第一通孔,若干所述第一导体柱设置在所述第一通孔中;

第二绝缘基板,设置在所述第二金属层和第三金属层之间,所述第二绝缘基板上设置有若干第二通孔,若干所述第二导体柱设置在所述第一通孔中。

在本发明的一个实施例中,所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板的材质均包括玻璃。

在本发明的一个实施例中,所述第三金属层上还设置有凹槽,所述凹槽设置在所述输入谐振腔和所述输出谐振腔中,所述差分输入端口和所述差分输出端口设置在所述凹槽中。

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