[发明专利]像素驱动电路及显示装置在审

专利信息
申请号: 201811483205.4 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN109346012A 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 李新吉 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/3266 分类号: G09G3/3266;G09G3/3258;G09G3/3291;G09G3/3233
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;王中华
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光 补偿模块 像素驱动电路 高电压 电源 电性连接 发光模块 复位信号 接收电源 显示装置 输入初始化 接收扫描 扫描信号 有效补偿 载入模块 阈值电压 制造
【权利要求书】:

1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括载入模块(1)、与所述载入模块(1)电性连接的补偿模块(2)和与所述补偿模块(2)电性连接的发光模块(3);

所述载入模块(1)用于接收复位信号(Reset)及发光信号(EM),并在复位信号(Reset)的控制下向补偿模块(2)输入初始化信号(Int),在发光信号(EM)的控制下向补偿模块(2)输入数据信号(Data);

所述补偿模块(2)用于接收扫描信号(Gate),并在扫描信号(Gate)的控制下接收电源高电压(Vdd)进行阈值电压的补偿;

所述发光模块(3)用于接收发光信号(EM),并在发光信号(EM)的控制下接收电源高电压(Vdd)并发光,且发光亮度能够通过改变电源高电压(Vdd)的大小进行调节。

2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述补偿模块(2)包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)及存储电容(C1);

所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接收扫描信号(Gate),源极电性连接第一节点(A),漏极电性连接第二节点(B);

所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第一节点(A),漏极接收电源高电压(Vdd),源极电性连接第二节点(B);

所述存储电容(C1)的第一端电性连接第一节点(A),第二端电性连接第三节点(C);

所述载入模块(1)电性连接所述第一节点(A)及第三节点(C),所述发光模块(3)电性连接所述第二节点(B)和第三节点(C)。

3.如权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述发光模块(3)包括:第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)及有机发光二极管(D1);

所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接收发光信号(EM),源极接收电源高电压(Vdd),漏极电性连接第三节点(C);

所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接收发光信号(EM),源极电性连接第二节点(B),漏极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极;

所述有机发光二极管(D1)的阴极接收电源低电压(Vss)。

4.如权利要求3所述的像素驱动电路,其特征在于,所述载入模块(1)包括:第五薄膜晶体管(T5)及第六薄膜晶体管(T6);

所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接收发光信号(EM),源极接收数据信号(Data),漏极电性连接第三节点(C);

所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接收复位信号(Reset),源极接收初始化信号(Int),漏极电性连接第一节点(A)。

5.如权利要求4所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)及第六薄膜晶体管(T6)均为P型薄膜晶体管,所述第五薄膜晶体管(T5)为N型薄膜晶体管。

6.如权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路的工作过程依次包括载入阶段(10)、补偿阶段(20)及发光阶段(30);

在所述载入阶段(10),所述复位信号(Reset)为低电位,扫描信号(Gate)和发光信号(EM)为高电位;

在所述补偿阶段(20),所述扫描信号(Gate)为低电位,所述复位信号(Reset)和发光信号(EM)为高电位;

在所述发光阶段(30),所述发光信号(EM)为低电位,所述扫描信号(Gate)和复位信号(Reset)为高电位。

7.如权利要求6所述的像素驱动电路,其特征在于,在载入阶段(10),所述第一节点(A)的电压为Vint,所述第三节点(C)的电压为Vdata,其中Vint为初始化信号(Int)的电压,Vdata为数据信号(Data)的电压。

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