[发明专利]一种基于临近空间平台的空间光电对抗方法及装备

权利要求书

1.一种基于临近空间平台的空间光电对抗方法，其特征在于，包括以下步骤：

开启被动高精度跟瞄，实施对高轨道卫星的被动跟踪任务；

接收到地面指令，发射激光对高轨道卫星实施对抗攻击；

使用激光进行连续攻击，直至接收地面指令停止命令。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光为瓦级2.7/4.3μm激光。

3.一种基于临近空间平台的空间光电对抗装备，其特征在于，所述装备布置于高轨道卫星和发射区域之间；所述装备包括固体光源和高精度跟瞄单元，所述高精度跟瞄单元包括：

被动跟踪单元，用于实施对高轨道卫星的被动跟踪任务；

激光导光单元，与所述固体光源连接，用于发射激光对高轨道卫星实施对抗攻击。

4.根据权利要求3所述的装备，其特征在于，所述激光导光单元包括：

快反镜，用于对激光进行导光；

合束发射单元，用于对激光进行偏摆；

扩束单元，用于对激光进行扩束。

5.根据权利要求3所述的装备，其特征在于，所述高精度跟瞄单元还包括：

方位轴系，用于对所述高精度跟瞄单元进行方位转动；

俯仰轴系，用于对所述高精度跟瞄单元进行俯仰转动；

电控设备，用于对所述高精度跟瞄单元进行自动控制。

6.根据权利要求5所述的装备，其特征在于，所述高精度跟瞄单元还包括底座，所述高精度跟瞄单元通过所述底座与临近空间平台实现接口。

7.根据权利要求6所述的装备，其特征在于，所述底座内设置有量子级联激光器，所述量子级联激光器从下至上依次包括：

Au/Ge/Ni衬底面电极、N型InP衬底、N型InP下包层、N型InGaAs下波导层、N型InGaAs/InAlAs有源区、N型InGaAs上波导层、N型InP上包层、N型InP盖层、阶梯型波导结构、Si3N4电绝缘层和Ti/Pt/Au外延面电极。

8.根据权利要求7所述的装备，其特征在于，所述阶梯型波导结构的阶梯数量大于等于一阶，所述阶梯型波导结构高度和宽度为300nm-500nm，所述N型InGaAs/InAlAs有源区的脊型台面宽度为10μm-20μm，所述N型InGaAs上波导层、N型InP上包层、N型InP盖层的宽度与所述N型InGaAs/InAlAs有源区的脊型台面的宽度相等；所述N型InP衬底、N型InP下包层、N型InGaAs下波导层、N型InGaAs/InAlAs有源区、N型InGaAs上波导层、N型InP上包层和N型InP盖层的外表面设置有所述Si3N4电绝缘层；所述Si3N4电绝缘层上表面开设有电注入窗口；所述Si3N4电绝缘层的外表面设置有所述Ti/Pt/Au外延面电极。

9.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述量子级联激光器为瓦级2.7/4.3μm激光器。

10.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述装备布置于临近空间飞行器上。