[发明专利]应用于DC-DC变换器的驱动电路在审

专利信息
申请号: 201811485338.5 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN109639119A 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 林志能 申请(专利权)人: 厦门元顺微电子技术有限公司;友顺科技股份有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 代理人: 乐珠秀
地址: 361008 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 产生单元 内部电源 电压检测单元 输出端连接 反馈单元 驱动电路 驱动单元 应用 电源输入端 反馈输入端 输入端连接 输出端 输入端 减小
【权利要求书】:

1.一种应用于DC-DC变换器的驱动电路,其特征在于,包括:

内部电源产生单元;

驱动单元;

反馈单元;

电压检测单元;

所述内部电源产生单元的输出端连接所述驱动单元的电源输入端;

所述反馈单元的输出端连接所述内部电源产生单元的反馈输入端;

所述电压检测单元的输出端连接所述反馈单元的输入端;

所述电压检测单元的比较输入端连接所述内部电源产生单元的输出端。

2.如权利要求1所述的应用于DC-DC变换器的驱动电路,其特征在于,还包括参考电压提供单元,所述电压检测单元的参考输入端连接所述参考电压提供单元的输出端。

3.如权利要求1或2所述的应用于DC-DC变换器的驱动电路,其特征在于,所述电压检测单元包括第一PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管;

所述第一PMOS管的源极连接所述参考电压提供单元的输出端,所述第一PMOS管的栅极连接所述内部电源产生单元的输出端;

所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极,所述第一NMOS管的漏极连接自身的栅极;

所述第一NMOS管和所述第二NMOS管连接为电流镜;

所述第二NMOS管的漏极连接所述反馈单元的输入端。

4.如权利要求3所述的应用于DC-DC变换器的驱动电路,其特征在于,所述反馈单元包括第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管;

所述第二PMOS管和所述第三PMOS管连接为电流镜;

所述第二PMOS管的漏极连接自身的栅极,同时连接所述电压检测单元的输出端;

所述第三NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极,所述第三NMOS管的源极连接所述第四NMOS管的漏极,所述第四NMOS管的源极接地,第四NMOS管的栅极连接偏置电压;

所述第三PMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的漏极和栅极,第五NMOS管的漏极和输入电源之间串联有所述第一电阻;

所述第五NMOS管的源极连接所述第三NMOS管的栅极;

所述第五NMOS管的源极和所述第三NMOS管的栅极连接在钳位二极管一端,所述钳位二极管的另一端接地。

5.如权利要求4所述的应用于DC-DC变换器的驱动电路,其特征在于,所述钳位二极管为齐纳二极管。

6.如权利要求5所述的应用于DC-DC变换器的驱动电路,其特征在于,所述内部电源产生单元包括第六NMOS管和第二电阻;

所述第六NMOS管的栅极连接所述反馈单元的输出端;

所述第六NMOS管的源极连接所述第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端接地。

7.如权利要求1或2所述的应用于DC-DC变换器的驱动电路,其特征在于,所述驱动单元连接功率MOS管。

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