[发明专利]内嵌式金属网栅的电磁屏蔽光学窗制备方法

权利要求书

1.一种内嵌式金属网栅的电磁屏蔽光学窗制备方法，其特征在于，所述方法可以在曲面红外光学窗上实现电磁屏蔽，所述方法包括如下步骤：

步骤1：在光学窗上生长制备Y₂O₃薄膜,所述薄膜沉积厚度为800nm,采用电子束蒸发方法生长制备Y₂O₃薄膜,工艺参数为：蒸发温度150～300℃，蒸发速率0.1～0.5nm/s，本底真空度6～8×10^-4Pa，真空通氧量20～40sccm，电子束束流280～340mA，离子源线圈电流30～40mA，射频偏转电压80～120V；

步骤2：热处理镀膜后的光学窗，使Y₂O₃薄膜表面产生随机分布的网状裂纹；其中,热处理镀膜后的光学窗，高温处理温度300～450℃，升温速率为10～100℃/min，保持0.5h～24.0h，自然冷却降温至室温；

步骤3：在开裂的薄膜表面沉积金属膜，使沉积金属材料嵌入网状裂纹内；

步骤4：采用等离子体大角度倾斜刻蚀方法，通过控制作用时间，去除基底表面金属层，仅保留裂纹内部嵌入的金属材料；

等离子体刻蚀本地真空度为4×10^-4～1×10^-3Pa，通入氩(Ar)气纯度为99.999％，气体流量为10～40sccm，轰击清洗时间为10～30min，离子源轰击角度为30～80°。

2.如权利要求1所述的内嵌式金属网栅的电磁屏蔽光学窗制备方法，其特征在于，所述步骤3中，在开裂的薄膜表面沉积金属薄膜，采用方法包括离子束溅射或化学镀。

3.如权利要求1所述的内嵌式金属网栅的电磁屏蔽光学窗制备方法，其特征在于，所述步骤3中，所述金属膜层材料包括：金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)。

4.如权利要求1所述的内嵌式金属网栅的电磁屏蔽光学窗制备方法，其特征在于，所述步骤3中，膜层厚度为100～300nm，使纳米金属材料嵌入膜层表面的网状裂纹内。

5.如权利要求1所述的内嵌式金属网栅的电磁屏蔽光学窗制备方法，其特征在于，所述步骤4中，采用高能等离子体大角度倾斜刻蚀方法，通过控制作用时间，去除基底表面金属层，仅保留裂纹内部嵌入的金属材料。