[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括分别联接到多条字线的多个存储器单元；

外围电路，该外围电路被配置为执行至少一个编程循环，所述至少一个编程循环包括将编程电压施加到与所述多条字线当中的所选字线联接的所选存储器单元以及确定所述所选存储器单元是否已被完全编程；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述外围电路在所述编程电压被施加到所述所选字线的同时，将根据目标编程状态而设置的不同电平的编程控制电压施加到分别与所述所选存储器单元当中的第一存储器单元组中的存储器单元联接的位线并将与所述目标编程状态无关地被设置在预定电平的编程允许电压施加到分别与所述所选存储器单元当中的第二存储器单元组中的存储器单元联接的位线。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述所选存储器单元具有第一编程状态至第n编程状态当中的任一个编程状态作为目标编程状态，其中n是大于1的自然数，

其中，所述编程电压对应于所述第一存储器单元组中的存储器单元的所述目标编程状态当中的最高编程状态。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路将编程禁止电压施加到与所述所选存储器单元当中的被确定为已被完全编程的存储器单元联接的位线。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储器单元组中的存储器单元具有第一编程状态至第k编程状态当中的任一个编程状态作为目标编程状态，其中k是大于1的自然数，并且

所述第二存储器单元组中的存储器单元具有第(k+1)编程状态至第n编程状态当中的任一个编程状态作为目标编程状态，其中n是大于(k+1)的自然数。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储器单元组中的存储器单元具有第p编程状态至第q编程状态当中的任一个编程状态作为目标编程状态，其中p是大于1且小于q的自然数，并且q是大于p的自然数，并且

所述第二存储器单元组中的存储器单元具有第一编程状态至第n编程状态当中除了第p编程状态至第q编程状态之外的编程状态作为目标编程状态，其中n是大于q的自然数。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，每当所述至少一个编程循环重复时，所述编程电压增加阶跃电压。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，当所述第一存储器单元组中的存储器单元的目标编程状态为低时，所述编程控制电压具有高电平。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在施加所述编程电压的同时，在所述至少一个编程循环中的第一编程循环中施加所述编程控制电压。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，每当所述至少一个编程循环重复时，所述编程电压增加阶跃电压。

10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路将编程禁止电压施加到与所述第一存储器单元组中的多个存储器单元当中的被确定为已被完全编程的存储器单元联接的位线。

11.一种操作存储器装置的方法，该存储器装置包括分别联接到多条字线的多个存储器单元，所述方法包括以下步骤：

执行至少一个编程循环，所述至少一个编程循环包括将编程电压施加到与所述多条字线当中的所选字线联接的所选存储器单元以及确定所述所选存储器单元是否已被完全编程；以及

在所述编程电压被施加到所述所选字线的同时，将不同电平的编程控制电压施加到分别与所述所选存储器单元当中的第一存储器单元组中的存储器单元联接的位线，并将编程允许电压施加到分别与所述所选存储器单元当中的第二存储器单元组中的存储器单元联接的位线，

其中，根据目标编程状态来设置所述不同电平的编程控制电压，并且与所述目标编程状态无关地将所述编程允许电压设置在预定电平。